[发明专利]半导体元件的洗涤方法

权利要求书

1.一种半导体的洗涤方法，该方法是在制造具有以铝(Al)为主要成分的金属的半导体元件时，将抗蚀剂形成后进行干蚀刻、灰化后残留在该金属布线的侧面和上表面的半导体上的抗蚀剂残渣物洗涤除去的方法，其依次进行下述(1)～(3)的洗涤处理：

(1)利用含有氢氟酸的水溶液进行的洗涤处理；

(2)利用氨与过氧化氢的混合溶液进行的洗涤处理；

(3)使用双氧水的洗涤处理。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的洗涤方法，其中，(1)含有氢氟酸的水溶液中含有有机膦酸。

3.根据权利要求2所述的半导体元件的洗涤方法，其中，有机膦酸为选自氨甲基膦酸、羟基亚乙基二膦酸、氨基三亚甲基膦酸、乙二胺四亚甲基膦酸、二亚乙基三胺五亚甲基膦酸、六亚甲基二胺四亚甲基膦酸、双六亚甲基三胺五亚甲基膦酸以及丙二胺四亚甲基膦酸中的1种以上。

4.根据权利要求1所述的半导体元件的洗涤方法，其中，含有氢氟酸的水溶液中的氢氟酸的浓度为0.001～0.05重量％。

5.根据权利要求2所述的半导体元件的洗涤方法，其中，含有氢氟酸的水溶液中的有机膦酸的浓度为0.005～1重量％。

6.根据权利要求1所述的半导体元件的洗涤方法，其中，氨与过氧化氢的混合水溶液是含有0.001～1重量％的氨和0.1～30重量％的过氧化氢的溶液，且pH在8～10的范围内。

7.根据权利要求1所述的半导体元件的洗涤方法，其中，双氧水中的过氧化氢浓度为0.1～31重量％。