[发明专利]气体分布喷头裙部

权利要求书

1.一种设备，其包括：

处理腔室主体；

气体分布喷头，设置在所述处理腔室主体中，所述气体分布喷头耦接至第一功率源并且具有大致矩形形状；

辅助电极，设置在所述处理腔室主体中，并且耦接至所述第一功率源或第二功率源；以及

基座，设置在所述处理腔室主体中，并且与所述辅助电极和所述气体分布喷头间隔开来。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述气体分布喷头和所述辅助电极由单一整块材料形成。

3.如权利要求1所述的设备，其中所述气体分布喷头具有实质矩形形状，且所述辅助电极是在所述气体分布喷头的多个角落处耦接至所述气体分布喷头，且其中所述辅助电极沿着所述气体分布喷头的多个边缘耦接至所述气体分布喷头。

4.如权利要求1所述的设备，其中所述辅助电极耦接至所述第一功率源。

5.如权利要求1所述的设备，其中所述气体分布喷头和所述辅助电极耦接在一起。

6.如权利要求1所述的设备，其中所述气体分布喷头和所述辅助电极彼此互相电性隔离。

7.一种气体分布喷头，包括：

气体分布喷头主体，具有上游侧和下游侧，以及一或多个气体通道延伸在所述上游侧和所述下游侧之间，且所述气体分布喷头主体具有实质矩形形状；以及

一或多个辅助电极，耦接至所述气体分布喷头主体并且从所述气体分布喷头主体的所述下游侧延伸。

8.如权利要求7所述的气体分布喷头，其中所述一或多个辅助电极耦接至所述气体分布喷头主体的周缘，且其中所述一或多个辅助电极耦接至所述气体分布喷头主体的一或多个角落。

9.如权利要求7所述的气体分布喷头，其中所述气体分布喷头主体和所述一或多个辅助电极由单一整块材料形成。

10.如权利要求7所述的气体分布喷头，其中所述气体分布喷头主体和所述一或多个辅助电极是耦接在一起的分离部件，且其中所述一或多个辅助电极包含耦接在一起的多个部件。

11.一种等离子体增强化学气相沉积设备，其包括：

处理腔室主体；

基座，设置在所述处理腔室主体内；

气体分布喷头，设置在所述处理腔室主体中并且与所述基座分开，所述气体分布喷头具有下游表面和上游表面，所述下游表面面对所述基座，所述上游表面与所述下游表面相反，且所述气体分布喷头具有大致矩形形状；以及

一或多个辅助电极，设置在所述处理腔室主体中且位于所述气体分布喷头和所述基座之间，所述一或多个辅助电极连接至功率源并且至少部分地环绕介于所述基座和所述气体分布喷头之间的处理空间。

12.如权利要求11所述的设备，其中所述一或多个辅助电极耦接至所述气体分布喷头，其中所述一或多个辅助电极和所述气体分布喷头耦接至相同的所述功率源，其中所述气体分布喷头具有实质矩形的形状，且所述一或多个辅助电极耦接至所述气体分布喷头的多个角落，且其中所述一或多个辅助电极包含多个部件。

13.如权利要求11所述的设备，其中所述一或多个辅助电极与所述气体分布喷头和所述基座电性隔离。

14.如权利要求11所述的设备，其中所述一或多个辅助电极耦接至所述气体分布喷头的周缘并且从所述下游表面延伸。

15.如权利要求11所述的设备，其中所述一或多个辅助电极和所述气体分布喷头由单一整块的材料形成。