[发明专利]设计纳米结构光电子器件的主体以改善性能无效
| 申请号： | 200980120567.X | 申请日： | 2009-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN102057491A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | M.R.布莱克;B.A.布蔡恩 | 申请（专利权）人： | 班德加普工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;蒋骏 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 设计 纳米 结构 光电子 器件 主体 改善 性能 | ||
1. 一种纳米结构光电子器件，包括纳米结构材料和与纳米结构材料混合的主体材料，其中，所述器件具有有效活性面积，其中，所述主体材料具有使作为主体材料的折射率的函数的器件的有效活性面积近似最大化的折射率。
2. 权利要求1的光电子器件，其中，所述主体材料具有比纳米结构材料高的折射率。
3. 权利要求1的光电子器件，其中，所述纳米结构材料包括纳米线。
4. 权利要求1的光电子器件，其中，所述纳米结构材料包括量子点。
5. 权利要求1的光电子器件，其中，所述纳米结构材料包括硅。
6. 权利要求1的光电子器件，其中，所述主体材料与具有除了主体材料具有约1的折射率之外相同结构的器件相比将有效活性面积增加了至少约10％。
7. 权利要求6的光电子器件，其中，所述主体材料与具有除了主体材料被空气取代之外相同结构的器件相比将有效活性面积增加了至少约10％。
8. 权利要求1的光电子器件，其中，所述主体材料包括TiO2。
9. 权利要求1的光电子器件，其中，所述器件是光伏器件。
10. 权利要求9的光电子器件，其中，所述纳米结构材料包括纳米线阵列。
11. 权利要求9的光电子器件，其中，所述纳米线阵列中的纳米线具有在约1度与约3度范围内的锥体。
12. 权利要求1的光电子器件，其中，所述器件是发光二极管。
13. 一种纳米结构光电子器件，包括纳米结构材料和与纳米结构材料混合的主体材料，其中，所述主体材料包括吸收光并以不同的能量重发射光的散射中心或吸收/发光中心，或者同时包括这两者。
14. 权利要求13的器件，其中，所述主体材料包括散射中心，该散射中心包括量子点、金属纳米颗粒、或高折射率电介质纳米点。
15. 权利要求13的器件，其中，所述主体材料包括吸收/发光中心，其包括有机染料或金属颗粒。
16. 权利要求13的器件，其中，所述主体材料包括通过等离子体激元共振将能量传输到纳米线的金属颗粒。
17. 权利要求13的器件，其中，所述主体材料包括吸收光并以较低能量重发射光的吸收/发光中心。
18. 权利要求13的光电子器件，其中，所述器件是光伏器件。
19. 权利要求17的光电子器件，其中，所述纳米结构材料包括纳米线阵列。
20. 权利要求19的光电子器件，其中，所述纳米线阵列中的纳米线具有在约1度与约3度范围内的锥体。
21. 权利要求13的光电子器件，其中，所述主体材料与具有除了主体材料被空气取代之外相同结构的器件相比将有效活性面积增加了至少约10％。
22. 一种设计包括纳米结构材料和与纳米结构材料混合的主体材料的光电子器件的方法，该方法包括在考虑主体材料的折射率或主体材料中的散射中心或吸收/发光中心的存在对器件性能的影响的情况下选择用于所述器件的主体材料。
23. 权利要求22的方法，其中，所述主体材料的折射率的影响被考虑在内并准备对所述光电子器件进行建模的基于Maxwell-Garnett理论的曲线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于班德加普工程有限公司，未经班德加普工程有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980120567.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：传动系的热管理系统
- 下一篇：自适应基线补偿的系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
