[发明专利]多层反射镜和光刻设备

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2008年6月4日提交的美国临时申请61/129,087的权益，通过引用将其全部内容并入本文中。

技术领域

本发明涉及多层反射镜和包括这样的多层反射镜的光刻设备。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在所述情形中，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。

已广泛地承认光刻术是IC和其它的器件和/或结构制造中的关键步骤之一。然而，随着使用光刻术制造的特征的尺寸不断变小，光刻术正在成为使微型的IC或其它器件和/或结构能够被制造的更为关键的因素。

光刻设备典型地包括：被配置成调节辐射束的照射系统；被构造成保持图案形成装置(大多数情况下是掩模版或掩模)的支撑结构，所述图案形成装置能够在其横截面中将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束；被构造以保持衬底的衬底台；和被配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上的投影系统。

通过如等式(1)中所示出的分辨率的瑞利准则来给出图案印刷的极限的理论估计：

CD=k1*λNAPS---(1)]]>

其中，λ是所使用的辐射的波长，NA_PS是用于印刷图案的投影系统的数值孔径，k₁是依赖于过程的调整因子，也称为瑞利常数，以及CD是被印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。从等式(1)可以得出，可以以三种方式实现减小特征的最小可印刷尺寸：通过缩短曝光波长λ、通过增加数值孔径NA_PS或通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长并因此使最小可印刷尺寸减小，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射源被配置以输出约13.5nm的辐射波长。因此，EUV辐射源可以构成朝向获得小的特征印刷的非常重要的一步。这样的辐射用术语极紫外或软x射线来表示，可能的源例如包括激光产生等离子体源、放电等离子体源或来自电子储存环的同步加速器辐射。

优选地，照射系统和投影系统包括多个光学元件，用于将辐射分别聚焦到图案形成装置和衬底的被期望的位置上。不幸的是，除了处于低密度的一些气体之外，尚不知有材料对EUV辐射是透射性的。因此，使用EUV辐射的光刻设备不会在其照射系统和在其投影系统中采用透镜。相反，照射系统和投影系统优选地包括反射镜。另外，同理，图案形成装置优选地是反射式装置，即具有反射表面的反射镜，该反射表面设置有由该反射表面上的吸收材料形成的图案。

为了反射具有约13.5nm的波长的EUV辐射，已经提出具有交替的Si和Mo层的多层反射镜。这样的多层反射镜根据布拉格定律反射EUV辐射。然而，这些反射镜看上去不适合于反射具有甚至更短的波长的辐射。

发明内容

期望能够构造具有适合的反射性质的反射镜，以反射具有6.9nm和更低的波长的辐射。