[发明专利]高效率光伏电池和制造方法

权利要求书

1.一种用于形成薄膜光伏装置的方法，所述方法包括：

提供包括表面区域的透明基板；

形成覆盖所述表面区域的第一电极层；

形成覆盖所述第一电极层的铜层；

形成覆盖所述铜层的铟层以形成多层结构；

至少使所述多层结构在包含含硫物质的环境中经受热处理工艺；

至少由所述多层结构的处理工艺形成铜铟二硫化物材料，所述铜铟二硫化物材料包括从约1.35∶1到约1.60∶1范围的铜与铟原子比；以及

形成覆盖所述铜铟二硫化物材料的窗口层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述铜铟二硫化物材料包括具有硫化铜表面区域的硫化铜材料的厚度。

3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括去除所述硫化铜材料的厚度。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述去除包括使用氰化钾的溶液来选择性去除所述硫化铜材料的厚度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述窗口层选自由硫化镉、硫化锌、硒化锌、氧化锌、或锌镁氧化物组成的组。

6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括形成覆盖所述窗口层的一部分的透明导电氧化物。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成铜层通过溅射工艺提供。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成铜层通过电镀工艺提供。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成铟层通过溅射工艺提供。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成铟层通过电镀工艺提供。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述铜铟二硫化物具有p型半导体特性。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述窗口层包括n⁺型半导体特性。

13.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述窗口层中引入铟物质，以引起n⁺型半导体特性的形成。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述铜铟二硫化物与铜铟铝二硫化物混合。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含硫化物物质包括以液相的硫化氢。

16.一种用于形成薄膜光伏装置的方法，所述方法包括：

提供包括表面区域的透明基板；

形成覆盖所述表面区域的第一电极层；

至少通过溅射包括铟铜材料的靶来形成包括从约1.35∶1到约1.60∶1范围的Cu∶In原子比的铜铟材料；

使所述铜铟材料在包含含硫物质的环境中经受热处理工艺；

至少由所述铜铟材料的热处理工艺形成铜铟二硫化物材料；以及

形成覆盖所述铜铟二硫化物材料的窗口层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述窗口层选自由硫化镉、硫化锌、硒化锌、氧化锌、或锌镁氧化物组成的组。

18.根据权利要求16所述的方法，进一步包括形成覆盖所述窗口层的一部分的透明导电氧化物。

19.根据权利要求16所述的方法，其中，所述铜铟二硫化物材料具有p型半导体特性。

20.根据权利要求16所述的方法，其中，所述窗口层包括n⁺型半导体特性。

21.根据权利要求16所述的方法，进一步包括在所述窗口层中引入铟物质，以引起n⁺型半导体特性的形成。

22.根据权利要求16所述的方法，其中，所述含硫物质包括硫化氢。