[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，具有：

涂布工序，在基板或半导体元件的至少一方涂布具有焊剂活性的膏状热固性树脂组合物，

接合工序，将所述基板和所述半导体元件介由所述膏状热固性树脂组合物进行电接合，

固化工序，加热所述膏状热固性树脂组合物从而进行固化，

冷却工序，在所述固化工序之后，以10℃/小时以上且50℃/小时以下的冷却速度进行冷却。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述固化工序中，所述膏状热固性树脂组合物的固化温度为Tc℃时，

所述冷却工序是在Tc℃以下且Tc-90℃以上的温度范围，以所述冷却速度进行冷却。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述固化温度Tc为150℃时，

所述冷却工序是在150℃以下且60℃以上的温度范围，以所述冷却速度进行冷却。

4.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，在小于Tc-90℃的温度范围内，以60℃/小时以上且120℃/小时以下的冷却速度进行冷却。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在25℃以上且玻璃转移温度Tg以下的区域的、所述基板的厚度方向线膨胀系数α1为20ppm以下。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在25℃以上且玻璃转移温度Tg以下的区域的、所述基板的厚度方向线膨胀系数α1为5ppm以上。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述固化工序后的所述膏状热固性树脂组合物的固化物的玻璃转移温度为50℃以上且150℃以下。

8.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述固化工序后的所述膏状热固性树脂组合物的固化物的玻璃转移温度为50℃以上且150℃以下。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，所述冷却工序是在Tc℃以下且所述膏状热固性树脂组合物的固化物的所述玻璃转移温度-20℃以上的温度范围，以所述冷却速度进行冷却。

10.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在25℃以上且玻璃转移温度Tg以下的区域的、所述固化工序后的所述膏状热固性树脂组合物的固化物的线膨胀系数为5ppm/℃以上且60ppm/℃以下。

11.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述冷却工序中，所述冷却速度为25℃/小时以下。

12.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，使用具有第一导电部的所述基板和具有第二导电部的所述半导体元件，

所述接合工序是以在用所述膏状热固性树脂组合物进行覆盖的状态下使所述第一导电部与所述第二导电部进行焊锡连接的方式将所述基板与所述半导体元件电接合。

13.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一导电部以及所述第二导电部的至少一方为焊锡凸块。

14.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述膏状热固性树脂组合物含有热固性树脂和焊剂活性剂。

15.如权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其中，所述热固性树脂的含量为所述膏状热固性树脂组合物整体的5重量％以上且70重量％以下。

16.如权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其中，所述焊剂活性剂的含量为所述膏状热固性树脂组合物整体的0.1重量％以上且50重量％以下。

17.如权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其中，所述焊剂活性剂在分子中具有羧基以及酚型羟基。

18.一种半导体装置，是通过权利要求1～17中任一项所述的半导体装置的制造方法制得。