[发明专利]基板清洗方法及基板清洗装置

权利要求书

1.一种基板清洗方法，向基板(W)喷出清洗液的液滴来进行清洗，其特征在于，

生成平均液滴直径为15μm以上且200μm以下并且液滴直径的分布以3σ(σ为标准偏差)表示处于所述平均液滴直径的10％以下的清洗液的液滴来向基板喷出。

2.如权利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于，

向基板喷出平均液滴速度为每秒20米以上且每秒100米以下并且液滴速度的分布以3σ(σ为标准偏差)表示处于所述平均液滴速度的10％以下的液滴。

3.如权利要求1或2所述的基板清洗方法，其特征在于，

以每分钟10毫升以上的液滴流量向基板喷出所述液滴。

4.一种基板清洗方法，向半导体基板(W)喷出清洗液的液滴来进行清洗，其特征在于，

生成平均液滴直径为15μm以上且30μm以下并且液滴直径的分布以3σ(σ为标准偏差)表示处于2μm以下的清洗液的液滴来向半导体基板喷出。

5.如权利要求4所述的基板清洗方法，其特征在于，

向半导体基板喷出平均液滴速度为每秒20米以上且每秒60米以下并且液滴速度的分布以3σ(σ为标准偏差)表示处于每秒5米以下的液滴。

6.如权利要求4或5所述的基板清洗方法，其特征在于，

以每分钟10毫升以上的液滴流量向半导体基板喷出所述液滴。

7.一种基板清洗方法，向基板(W)喷出清洗液的液滴来进行清洗，其特征在于，

向在壁面上穿设有多个喷出孔(64、164、264、364)的筒状体(61、161、261、361)输送清洗液，并对该清洗液赋予振动，从而从所述多个喷出孔向基板喷出平均液滴直径为15μm以上且200μm以下并且液滴直径的分布以3σ(σ为标准偏差)表示处于所述平均液滴直径的10％以下的清洗液的液滴。

8.如权利要求7所述的基板清洗方法，其特征在于，

从所述多个喷出孔向基板喷出平均液滴速度为每秒20米以上且每秒100米以下并且液滴速度的分布以3σ(σ为标准偏差)表示处于所述平均液滴速度的10％以下的液滴。

9.如权利要求7或8所述的基板清洗方法，其特征在于，

以每分钟10毫升以上的液滴流量从所述多个喷出孔向基板喷出清洗液的液滴。

10.一种基板清洗方法，向半导体基板(W)喷出清洗液的液滴来进行清洗，其特征在于，

向在壁面上穿设有多个喷出孔(64、164、264、364)的筒状体(61、161、261、361)输送清洗液，并对该清洗液赋予振动，从而从所述多个喷出孔向半导体基板喷出平均液滴直径为15μm以上且30μm以下并且液滴直径的分布以3σ(σ为标准偏差)表示处于2μm以下的清洗液的液滴。

11.如权利要求10所述的基板清洗方法，其特征在于，

从所述多个喷出孔向半导体基板喷出平均液滴速度为每秒20米以上且每秒60米以下并且液滴速度的分布以3σ(σ为标准偏差)表示处于每秒5米以下的液滴。

12.如权利要求10或11所述的基板清洗方法，其特征在于，

以每分钟10毫升以上的液滴流量从所述多个喷出孔向半导体基板喷出清洗液的液滴。

13.一种基板清洗装置，向基板(W)喷出清洗液的液滴来进行清洗，其特征在于，

该基板清洗装置具有清洗喷嘴(60、160、260、360)，

所述清洗喷嘴(60、160、260、360)具有：筒状体(61、161、261、361)，其在壁面上穿设有多个喷出孔(64、164、264、364)；压电元件(62、162、262、362)，其贴设在所述壁面上，

由所述压电元件对输送至所述筒状体的清洗液赋予振动，从而从所述多个喷出孔向基板喷出平均液滴直径为15μm以上且200μm以下，液滴直径的分布以3σ(σ为标准偏差)表示处于所述平均液滴直径的10％以下的清洗液的液滴。

14.如权利要求13所述的基板清洗装置，其特征在于，

所述清洗喷嘴从所述多个喷出孔向基板喷出平均液滴速度为每秒20米以上且每秒100米以下并且液滴速度的分布以3σ(σ为标准偏差)表示处于所述平均液滴速度的10％以下的液滴。