[发明专利]接合有半导体波长转换器的发光二极管

权利要求书

1.一种以第一波长和第二波长发光的发光装置，包括：

以泵浦波长发光的电致发光器件；

第一光致发光元件，其覆盖所述电致发光器件的第一区域和第二区域，所述第一光致发光元件能够将至少一些从所述电致发光器件的所述第一区域入射的所述泵浦波长的光转换为所述第一波长的光；以及

第二光致发光元件，其设置在所述第一光致发光元件和所述电致发光器件之间，所述第二光致发光元件覆盖所述电致发光器件的所述第二区域，而未覆盖所述电致发光器件的所述第一区域，所述第二光致发光元件能够将至少一些从所述电致发光器件的所述第二区域入射的所述泵浦波长的光转换为与所述第一波长不同的所述第二波长的光。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一光致发光元件包括至少第一势阱，并且所述第二光致发光元件包括至少第二势阱。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一光致发光元件包括设置在吸收半导体层之间的多个第一势阱，所述吸收半导体层吸收从所述电致发光器件入射的所述泵浦波长的光，所述第一势阱能够发出所述第一波长的光。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述第二光致发光元件包括设置在吸收半导体层之间的多个第二势阱，所述吸收半导体层吸收从所述电致发光器件入射的所述泵浦波长的光，所述第二势阱能够发出所述第二波长的光。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一光致发光元件和所述第二光致发光元件包含II-VI族半导体材料。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述第一光致发光元件和所述第二光致发光元件各包括设置在镉镁锌硒化物(CdMgZnSe)的吸收层之间的多个镉锌硒化物(CdZnSe)量子阱。

7.根据权利要求1所述的装置，还包括设置在所述第二光致发光元件和所述电致发光器件之间的粘合剂层，所述粘合剂层将所述第二光致发光元件附接到所述电致发光器件上。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二发光元件直接接合到所述电致发光器件上。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一光致发光元件与所述第二光致发光元件一起外延生长。

10.根据权利要求9所述的装置，还包括在所述第一光致发光元件和所述第二光致发光元件之间外延生长的窗层和蚀刻阻挡层。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一光致发光元件吸收基本上所有的从所述电致发光器件的所述第一区域入射到所述第一光致发光元件上的所述泵浦波长的光，并且所述第二光致发光元件吸收基本上所有的从所述电致发光器件的所述第二区域入射到所述第二光致发光元件上的所述泵浦波长的光。

12.根据权利要求1所述的装置，还包括窗层，所述窗层与所述第一光致发光元件一起外延生长并设置在所述第一光致发光元件和所述电致发光元件之间，来自所述第一区域的所述泵浦波长的光在入射到所述第一发光元件上之前通过所述窗层。

13.根据权利要求1所述的装置，其中由所述第二光致发光元件发出并入射到所述第一光致发光元件上的所述第二波长的光基本上透过所述第一光致发光元件传输。

14.一种能够以第一波长和第二波长发光的发光装置，包括：

以泵浦波长发光的电致发光器件；

第一光致发光元件，其覆盖所述电致发光器件的第一区域，所述第一光致发光器件能够将基本上所有的从所述电致发光器件的所述第一区域入射的所述泵浦波长的光转换为所述第一波长的光；以及

第二光致发光元件，其覆盖所述电致发光器件的第二区域，所述第二光致发光元件能够将基本上所有的从所述电致发光器件的所述第二区域入射的所述泵浦波长的光转换为所述第二波长的光。

15.根据权利要求14所述的装置，其中所述第一光致发光元件还覆盖所述电致发光器件的所述第二区域。

16.根据权利要求14所述的装置，其中所述第二光致发光元件未覆盖所述电致发光器件的所述第一区域。

17.根据权利要求14所述的装置，其中由所述第二光致发光元件发出并入射到所述第一光致发光元件上的所述第二波长的光基本上透过所述第一光致发光元件传输。