[发明专利]掺杂共轭聚合物、器件及器件的制造方法

权利要求书

1.包含至少一种混合有至少一种氧化还原掺杂物的共轭聚合物的组合物，其中，所述共轭聚合物为3，4-二取代聚噻吩。

2.如权利要求1所述的组合物，其中，所述共轭聚合物为聚(3，4-二烷氧基噻吩)。

3.如权利要求1所述的组合物，其中，所述共轭聚合物由下式表示：

其中，R₁独立地为烷氧基基团、任选被取代的烷基、任选被取代的芳氧基、任选被取代的烷撑氧、任选被取代的乙撑氧或任选被取代的丙撑氧；并且

R₂独立地为烷氧基基团、任选被取代的烷基、任选被取代的芳氧基、任选被取代的烷撑氧、任选被取代的乙撑氧或任选被取代的丙撑氧。

4.如权利要求1所述的组合物，其中，所述共轭聚合物由下式表示：

其中，R₁独立地为烷氧基烷氧基烷氧基基团，R₂独立地为烷氧基烷氧基烷氧基基团。

5.如权利要求1所述的组合物，其中，所述共轭聚合物为聚(3，4-二(2-(2-丁氧基乙氧基)乙氧基)噻吩)-2，5二基。

6.如权利要求1所述的组合物，其中，所述氧化还原掺杂物为醌、硼烷、碳阳离子、硼-四氮杂萘并苯、铵盐、锍盐、氧鎓盐、硒鎓盐、亚硝鎓盐、鉮盐、鏻盐、碘鎓盐、金属盐或其组合。

7.如权利要求1所述的组合物，其中，所述氧化还原掺杂物为二苯基碘鎓盐，且其中所述二苯基碘鎓盐的苯环任选被取代。

8.如权利要求1所述的组合物，其中，所述组合物进一步包含不同于所述共轭聚合物的合成聚合物。

9.如权利要求1所述的组合物，其中，所述组合物进一步包含平面化剂。

10.如权利要求1所述的组合物，其中，所述组合物进一步包含平面化剂，其中所述平面化剂包括包含任选被取代的稠芳环或任选被取代的多环芳烃侧基的聚合物。

11.如权利要求1所述的组合物，其中，所述组合物包含约25wt.％-约99wt.％的共轭聚合物和约1wt.％-约75wt.％的氧化还原掺杂物，其中，wt.％基于共轭聚合物和氧化还原掺杂物的总量。

12.如权利要求1所述的组合物，其中，所述氧化还原掺杂物的量为约0.01m/ru-约1m/ru，其中，m为所述氧化还原掺杂物的摩尔量，ru为共轭聚合物重复单元的摩尔量。

13.如权利要求1所述的组合物，其中，所述共轭聚合物可溶于四氢呋喃、氯仿、烷基化苯、卤化苯、NMP、DMF、DMAc、DMSO、甲乙酮、环己酮、氯仿、二氯甲烷、丙酮、THF、二噁烷、乙酸乙酯、苯甲酸乙酯、碳酸乙二酯、碳酸丙二酯、1，2-二甲氧基乙烷、四氢吡喃或苯甲醚中。

14.如权利要求1所述的组合物，其进一步包含非质子性有机溶剂。

15.如权利要求1所述的组合物，其中，所述组合物被配制以用作有机电子器件的空穴注入层或空穴传输层。

16.如权利要求1所述的组合物，其中，所述组合物是在所述共轭聚合物和所述氧化还原掺杂物混合之后被加热的。

17.如权利要求1所述的组合物，其中，所述掺杂物包含包括氟离子在内的阴离子，且所述组合物基本不含任何其他的全氟化物质。

18.如权利要求1所述的组合物，其中，所述组合物为涂布在基板上的膜，且所述膜对有机溶剂具有稳定性。

19.如权利要求1所述的组合物，其中，所述组合物为涂布在基板上的膜，且所述膜对甲苯具有稳定性。

20.如权利要求1所述的组合物，其进一步包含空穴传输化合物，其中，所述空穴传输化合物为小分子或空穴传输聚合物。

21.包含至少一种至少混合有光酸的共轭聚合物的组合物。

22.如权利要求21所述的组合物，其中，所述共轭聚合物包含聚噻吩骨架。

23.如权利要求21所述的组合物，其中，所述共轭聚合物为3，4-二取代聚噻吩。