[发明专利]处理半导体材料方法和经处理的半导体材料

权利要求书

1.一种用于处理半导体材料的方法，该方法包括：

提供具有晶体结构的半导体材料；

使所述半导体材料的至少一个部分暴露于热源中形成熔融池；以及

使所述半导体材料冷却。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体材料的处理改善半导体材料的晶粒结构和表面性质中的至少一种。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述熔融池之前至少对即将暴露于所述热源中的那部分半导体材料进行预热。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体材料包括硅、锗、砷化镓、硅合金、锗合金、砷化镓合金、或它们的混合物。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体材料包括硅或硅合金。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在冷却后，按经处理的半导体材料的横截面积计，至少约75％包含有至少一个尺寸大于半导体材料厚度的约2倍的晶粒。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在冷却后，按经处理的半导体材料的横截面积计，至少约75％包含有至少一个尺寸大于约500μm的晶粒。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述熔融池包括从半导体材料的顶面延展至半导体材料的底面的熔融材料。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述熔融池包括来自半导体材料的顶面或者来自半导体材料的底面的熔融材料。

10.一种改善硅或硅合金材料的晶粒结构及表面特性中的至少一种的方法，包括：

提供具有晶体结构的硅或硅合金材料；

使所述硅或硅合金材料的至少一个部分暴露于热源中形成熔融池；以及

使所述硅或硅合金材料冷却形成具有改善的晶粒结构、改善的表面特性、或二者皆改善的经处理的硅或硅合金材料。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，在冷却后，按经处理的硅或硅合金材料的横截面积计，至少约75％包含有至少一个尺寸大于硅或硅合金体材料厚度约2倍的晶粒。

12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，在冷却后，按经处理的硅或硅合金体材料的横截面积计，至少约75％包含有至少一个尺寸大于约500μm的晶粒。

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，在形成所述熔融池之前，至少对即将暴露于所述热源中的那部分硅或硅合金材料进行预热。

14.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述使硅或硅合金材料的至少一部分暴露于热源中包括使所述热源从硅或硅合金材料的大致一个边缘运动至硅或硅合金材料的大致另一个边缘，以在冷却后形成大致平滑的表面。

15.一种经包括以下步骤的方法处理的半导体材料：

提供具有晶体结构的半导体材料；

使所述半导体材料的至少一个部分暴露于热源中形成熔融池；以及

使所述半导体材料冷却。

16.如权利要求15所述的半导体材料，其特征在于，至少曾暴露于所述热源中的那部分半导体材料冷却后的最大形貌变化小于约10μm。

17.如权利要求15所述的半导体材料，其特征在于，所述半导体材料包括硅、锗、砷化镓、硅合金、锗合金、砷化镓合金、或它们的混合物。

18.如权利要求17所述的半导体材料，其特征在于，所述半导体材料包括硅或硅合金。

19.如权利要求18所述的半导体材料，其特征在于，在冷却后，按经冷却的半导体材料的横截面积计，至少约75％包含有至少一个尺寸大于半导体体材料厚度的约2倍的晶粒。

20.如权利要求18所述的半导体材料，其特征在于，在冷却后，按经冷却的半导体材料的横截面积计，至少约75％包含有至少一个尺寸大于约500μm的晶粒。