[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其利用电磁波激发气体来对被处理体进行等离子体处理，具备：

处理容器；

输出电磁波的电磁波源；

第1同轴管，其具有内部导体与外部导体的粗细之比沿长度方向上不一致的构造，且被用于传输从上述电磁波源输出的电磁波；以及

介电体板，其面向上述处理容器的内部且与上述第1同轴管邻接，并用于将沿上述第1同轴管传输来的电磁波释放到上述处理容器的内部。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，设定上述第1同轴管的内部导体与外部导体的粗细之比，以使得上述第1同轴管的电磁波的输入侧的特性阻抗大于上述第1同轴管的电磁波的输出侧的特性阻抗。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述第1同轴管的内部导体的输入侧的粗细比上述第1同轴管的内部导体的输出侧的粗细细。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述第1同轴管的内部导体，从上述输入侧朝向上述输出侧沿上述第1同轴管的长度方向连续地变粗。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述第1同轴管的外部导体的输入侧的粗细比上述第1同轴管的外部导体的输出侧的粗细粗。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述第1同轴管的外部导体，从上述输入侧朝向上述输出侧沿上述第1同轴管的长度方向连续地变细。

7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

在上述第1同轴管的内部导体及外部导体的至少任一方上设置有台阶部，

上述第1同轴管的内部导体与外部导体的粗细之比因上述台阶部而不连续地变化。

8.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述第1同轴管的上述输入侧的特性阻抗具有18Ω～46Ω范围内的任一值。

9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述第1同轴管的上述输入侧的特性阻抗具有22Ω～40Ω范围内的任一值。

10.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述第1同轴管的内部导体具有局部变细的缩颈部。

11.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，在上述第1同轴管的内部导体与外部导体之间，与上述介电体板邻接地设置有介电体环。

12.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，在上述第1同轴管的内部导体与外部导体之间设置有第1介电体支承部件，

上述第1介电体支承部件嵌入到在上述第1同轴管的内部导体的外周所形成的槽中。

13.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，具备：

第2同轴管，其与上述第1同轴管连结，并用于向上述第1同轴管传输电磁波；以及

弹簧部件，其被设置在上述第1同轴管的内部导体与上述第2同轴管的内部导体的连结部，并用于将上述第1同轴管的内部导体直接或间接地推靠于上述介电体板。

14.根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，在上述第1同轴管的内部导体与上述第2同轴管的内部导体的连结部设置有触点部件，该触点部件用于使上述第1同轴管的内部导体与上述第2同轴管的内部导体电连接。

15.根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述第2同轴管的内部导体比上述第1同轴管的内部导体粗。

16.根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，在上述连结部存在游隙，该游隙能改变上述第1同轴管的内部导体相对于上述第2同轴管的内部导体的角度。

17.根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，在上述第2同轴管的内部导体与外部导体之间设置有第2介电体支承部件，

上述第2介电体支承部件嵌入到在上述第2同轴管的内部导体的外周所形成的槽中。

18.根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，在上述连结部附近的上述第2同轴管的内部导体与外部导体之间设置有介电体棒，

上述介电体棒嵌入到在上述第2同轴管的内部导体所设置的孔中。