[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，具备：金属制的处理容器，其容纳应进行等离子体处理的基板；和电磁波源，其向上述处理容器内供给激发等离子体所需的电磁波，

在上述处理容器的盖体下表面设置有多个介电体，该多个介电体用于使上述电磁波源供给的电磁波穿透到上述处理容器的内部，且该介电体的一部分在上述处理容器的内部露出，

在上述介电体的下表面设置有金属电极，

上述介电体在上述金属电极与上述盖体下表面之间露出的部分的不同的两侧，设置有用于传播电磁波的表面波传播部分，上述两侧的表面波传播部分具有彼此实质上相似的形状或实质上对称的形状。

2.一种等离子体处理装置，具备：金属制的处理容器，其容纳应进行等离子体处理的基板；和电磁波源，其向上述处理容器内供给激发等离子体所需的电磁波，

在上述处理容器的盖体下表面设置有多个介电体，该多个介电体用于使上述电磁波源供给的电磁波穿透到上述处理容器的内部，且该介电体的一部分在上述处理容器的内部露出，

在上述介电体的下表面设置有金属电极，

与上述介电体在上述金属电极与上述盖体下表面之间露出的部分的至少一部分相邻地设置有用于传播电磁波的表面波传播部分，上述相邻的表面波传播部分具有与上述介电体的形状呈实质上相似的形状或具有与上述介电体的形状呈实质上对称的形状。

3.一种等离子体处理装置，具备：金属制的处理容器，其容纳应进行等离子体处理的基板；和电磁波源，其向上述处理容器内供给激发等离子体所需的电磁波，

在上述处理容器的盖体下表面设置有多个介电体，该多个介电体用于使上述电磁波源供给的电磁波穿透到上述处理容器的内部，且该介电体的一部分在上述处理容器的内部露出，

在上述介电体的下表面设置有金属电极，

上述介电体在上述金属电极与上述盖体下表面之间露出的部分，在从上述处理容器的内部看时，实质上呈现多边形的轮郭，

上述多个介电体以使上述多边形的轮郭的顶角彼此相邻的方式进行配置，

在上述处理容器的内部露出的上述盖体下表面和上述金属电极下表面设置有用于传播电磁波的表面波传播部。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述介电体实质上是四边形的板状。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述四边形是正方形、菱形、去掉角部后的正方形或去掉角部后的菱形。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述介电体实质上是三角形的板状。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述三角形是正三角形或去掉角部后的正三角形。

8.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，从上述处理容器的内部看，被上述多个介电体包围的在上述处理容器的内部露出的上述盖体下表面的形状与上述金属电极下表面的形状实质上相同。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，从上述处理容器的内部看，上述介电体的外缘比上述金属电极的外缘靠外侧。

10.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，从上述处理容器的内部看，上述介电体的外缘与上述金属电极的外缘相同或靠内侧。

11.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述介电体的厚度为相邻的上述介电体的中心间的距离的1/29以下。

12.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述介电体的厚度为相邻的上述介电体的中心间的距离的1/40以下。

13.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述介电体被插入到在上述盖体下表面所形成的凹部中。

14.根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，在上述处理容器的内部露出的上述盖体下表面与上述金属电极下表面配置为共面。

15.根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，在上述处理容器的内部露出的上述盖体下表面与上述金属电极下表面被钝态保护膜覆盖。