[发明专利]基于薄片的半导体封装

权利要求书

1.一种方法包括：

提供金属载体；

提供金属薄片；以及

超声接合部分所述金属薄片和所述金属载体，接合的部分在所述金属薄片中定义多个面板，所述多个面板适用于在集成电路的封装中用作薄片载体面板。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括使用银或者银合金来点镀所述金属薄片的表面以在每个面板内形成多个器件区域，每个器件区域适用于导线接合到集成电路芯片。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中所述金属薄片是铜薄片，其具有在该金属薄片的上表面和下表面形成的镍层和钯层。

4.如前述任意一项权利要求所述的方法，其中，所述金属薄片的厚度在大约0.6和2毫英寸之间，以及所述载体的厚度在大约5和10毫英寸之间。

5.如前述任意一项权利要求所述的方法，其中，所述超声接合部分围绕所述多个面板的每一个形成连续的周边。

6.如前述任意一项权利要求所述的方法，进一步包括切割所述接合的金属薄片和金属载体以形成多个隔离的面板。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述超声接合形成平行的焊接线以及其中所述切割步骤进一步包括沿着所述平行的焊接线并且在所述平行的焊接线之间切割。

8.一种用于封装集成电路器件的方法，包括：

提供薄片载体结构，该薄片载体结构包括粘合到载体的金属薄片；

附着多个小片到所述金属薄片；

使用模塑材料封装所述多个小片和所述金属薄片的至少一部分来形成模塑的薄片载体结构；

将所述载体从所述模塑的薄片载体结构移除以形成模塑的薄片结构；

在所述载体被移除之后蚀刻所述金属薄片以在所述金属薄片中定义多个器件区域，每个器件区域支撑所述多个小片的至少一个并且具有多个电触点，其中所述蚀刻使部分所述模塑材料暴露；以及

在蚀刻步骤之后，单体化所述模塑的薄片结构以提供多个封装的集成电路器件。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述载体是金属载体以及部分所述金属薄片被超声接合到所述金属载体。

10.如权利要求8所述的方法，其中使用粘合剂将所述金属薄片附着到所述载体。

11.如权利要求8到10中任意一项所述的方法，其中，所述封装步骤包括将所述模塑材料涂覆到所述多个小片和所述部分所述金属薄片以在所述金属薄片上形成单个、连续模塑的带。

12.如权利要求8到11中任意一项所述的方法，其中：

所述金属薄片包括铜层和由银或银合金形成的第二层；

所述模塑材料接触所述银层；

所述蚀刻步骤包括蚀刻所述铜层和第二层两者来在每个器件区域上形成触点焊盘，并且让所述模塑材料在触点焊盘之间暴露；以及

所述第二层在每个触点焊盘上提供了导线接合位置。

13.如权利要求8到12中任意一项所述的方法，进一步包括将所述模塑的薄片结构放置在可重用的蚀刻载体的空腔中，所述可重用的蚀刻载体的空腔被配置成将所述金属薄片暴露给蚀刻过程。

14.如权利要求8到13中任意一项所述的方法，其中所述金属薄片包括具有用镍和钯覆盖的多个表面的金属层。

15.一种适用于封装集成电路小片的装置，包括：

金属载体；和

金属薄片，部分所述金属薄片被超声接合到所述金属载体，接合的部分在所述金属薄片中定义多个面板。

16.如权利要求15所述的装置，其中每个面板包括多个器件区域，每个器件区域被使用金属作点镀以形成适用于导线接合到集成电路芯片的电触点。

17.如权利要求15或16所述的装置，其中所述载体由铝制成以及所述薄片由铜制成。

18.如权利要求15到17中任意一项所述所述的装置，其中所述超声接合部分围绕所述多个面板的每一个形成连续的周边。

19.如权利要求15到18中任意一项所述所述的装置，其中所述超声接合部分形成定义所述多个面板的每一个的边界的平行的焊接线。