[发明专利]搭载半导体元件的基板

权利要求书

1.一种搭载半导体元件的基板，其特征在于，具有：

基板、

搭载于上述基板的一个面上的半导体元件、

粘接上述基板和上述半导体元件的粘接层、

嵌入上述半导体元件的第一层、

设置于上述基板的与上述第一层相反一侧的第二层、以及

设置于上述第一层上和上述第二层上的至少一层的表层，

并且，上述粘接层在25℃时的储能模量为5～1000MPa，

上述表层在玻璃化转变点Tg_a℃以下按照JIS C 6481进行检测的面方向上的热膨胀系数是40ppm/℃以下，该玻璃化转变点Tg_a℃是在20℃以上且按照JIS C 6481进行检测的上述表层的玻璃化转变点Tg_a℃。

2.如权利要求1所述的搭载半导体元件的基板，其中，当上述基板的平均厚度为T₁μm且上述第一层的平均厚度为T₂μm时，满足0.5≤T₂/T₁≤3.0的关系。

3.如权利要求1所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述粘接层的平均厚度是5～50μm。

4.如上述权利要求1所述的搭载半导体元件的基板，其中，

当俯视上述第一层时的上述第一层的面积设为100时，俯视上述半导体元件时的上述半导体元件的面积是6～10；

当上述第一层的体积设为100时，上述半导体元件的体积是2～7。

5.如权利要求1所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述粘接层通过粘接剂构成，上述粘接剂由含有(甲基)丙烯酸酯共聚物、环氧树脂、酚醛树脂和无机填充剂的树脂组合物构成。

6.如权利要求1所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述粘接层的玻璃化转变点是0～180℃。

7.如权利要求1所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述第一层在玻璃化转变点Tg_b℃以下按照JIS C 6481进行检测的面方向上的热膨胀系数是25～50ppm/℃，该玻璃化转变点Tg_b℃是在20℃以上且按照JIS C 6481进行检测的上述第一层的玻璃化转变点Tg_b℃。

8.如权利要求1所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述第一层的25℃时的杨氏模量是2～10GPa。

9.如权利要求1所述的搭载半导体元件的基板，其中，按照JIS C 6481进行检测的上述第一层的玻璃化转变点Tg_b处于100～250℃的范围内。

10.如权利要求1所述的搭载半导体元件的基板，其中，当上述表层的25℃时的杨氏模量为X Gpa且上述第一层的25℃时的杨氏模量为Y GPa时，满足0.5≤X-Y≤13的关系。

11.如权利要求1所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述表层的25℃时的杨氏模量是4～15GPa。

12.如权利要求1所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述表层在玻璃化转变点Tg_a℃以下按照JIS C 6481进行检测的面方向上的热膨胀系数是Appm/℃，该玻璃化转变点Tg_a℃是在20℃以上且按照JIS C 6481进行检测的上述表层的玻璃化转变点Tg_a℃，并且，上述第一层在玻璃化转变点Tg_b℃以下按照JIS C 6481进行检测的面方向上的热膨胀系数是B ppm/℃，该玻璃化转变点Tg_b℃是在20℃以上且按照JIS C 6481进行检测的上述第一层的玻璃化转变点Tg_b℃时，满足0.5≤B-A≤50的关系。

13.如权利要求1所述的搭载半导体元件的基板，其中，按照JIS C 6481进行检测的上述表层的玻璃化转变点Tg_a处于100～300℃的范围内。

14.如权利要求1所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述基板的25℃时的杨氏模量是20～50GPa。