[发明专利]高动态范围图像传感器有效
申请号: | 200980121401.X | 申请日: | 2009-06-15 |
公开(公告)号: | CN102057486A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 克里斯托弗·帕克斯 | 申请(专利权)人: | 柯达公司 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 动态 范围 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,其包括:
多个像素,每一像素包括:
第一光敏区域,其响应于光而收集电荷且具有第一敏感度;
第二光敏区域,其响应于光而收集电荷且具有低于所述第一光敏区域的所述敏感度的第二敏感度;及
偏振器,其横跨所述第二光敏区域。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述偏振器为线栅偏振器。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述偏振器经定向以阻挡通过表面反射而偏振的光。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其进一步包括定位于所述第一光敏区域上方且部分地覆盖所述第二光敏区域的微透镜。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其进一步包括具有大致等于或等于所述第一敏感度的敏感度的第三光敏区域及具有等于或大致等于所述第二敏感度的敏感度的第四光敏区域。
6.根据权利要求5所述的图像传感器,其进一步包括横跨所述第四光敏区域的第二偏振器。
7.根据权利要求6所述的图像传感器,其中所述第二偏振器为线栅偏振器。
8.根据权利要求7所述的图像传感器,其中所述第二偏振器经定向以阻挡通过表面反射而偏振的光。
9.根据权利要求6所述的图像传感器,其进一步包括经定位而覆盖所述第一光敏区域且部分地覆盖所述第二及第四光敏区域的微透镜。
10.根据权利要求9所述的图像传感器,其进一步包括经定位而覆盖所述第三光敏区域且部分地覆盖所述第四光敏区域的第二微透镜。
11.一种图像捕获装置,其包括:
图像传感器,其包括:
多个像素,每一像素包括:
第一光敏区域,其响应于光而收集电荷且具有第一敏感度;
第二光敏区域,其响应于光而收集电荷且具有低于所述第一光敏区域的所述敏感度的第二敏感度;及
偏振器,其横跨所述第二光敏区域。
12.根据权利要求11所述的图像捕获装置,其中所述偏振器为线栅偏振器。
13.根据权利要求11所述的图像捕获装置,其中所述偏振器经定向以阻挡通过表面反射而偏振的光。
14.根据权利要求11所述的图像捕获装置,其进一步包括定位于所述第一光敏区域上方且部分地覆盖所述第二光敏区域的微透镜。
15.根据权利要求11所述的图像捕获装置,其进一步包括具有大致等于或等于所述第一敏感度的敏感度的第三光敏区域及具有等于或大致等于所述第二敏感度的敏感度的第四光敏区域。
16.根据权利要求15所述的图像捕获装置,其进一步包括横跨所述第四光敏区域的第二偏振器。
17.根据权利要求16所述的图像捕获装置,其中所述第二偏振器为线栅偏振器。
18.根据权利要求17所述的图像捕获装置,其中所述第二偏振器经定向以阻挡通过表面反射而偏振的光。
19.根据权利要求16所述的图像捕获装置,其进一步包括经定位而覆盖所述第一光敏区域且部分地覆盖所述第二及第四光敏区域的微透镜。
20.根据权利要求19所述的图像捕获装置,其进一步包括经定位而覆盖所述第三光敏区域且部分地覆盖所述第四光敏区域的第二微透镜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的