[发明专利]氮化合物半导体基板的制造方法和氮化合物半导体基板、单晶SiC基板的制造方法和单晶SiC基板

权利要求书

1.一种氮化合物半导体基板的制造方法，其特征在于，进行如下的工序：

准备具有规定厚度的表面Si层和埋入绝缘层的Si基板的工序；

将所述Si基板在碳系气体气氛中加热使所述表面Si层变成单晶SiC层时，使与所述埋入绝缘层之间界面附近的Si层作为残存Si层残留的工序；以及

再使氮化合物半导体在表面的单晶SiC上外延生长的工序。

2.根据权利要求1所述的氮化合物半导体基板的制造方法，其中，在所述改性了的单晶SiC层的上再使单晶SiC外延生长，使氮化合物半导体在所述外延生长了的单晶SiC上外延生长。

3.根据权利要求1或2所述的氮化合物半导体基板的制造方法，其中，所述残存Si层的厚度为3～20nm。

4.一种氮化合物半导体基板，其特征在于，在具有埋入绝缘层的单晶Si基板的比所述埋入绝缘层更靠近表面的表面侧形成有单晶SiC层，在所述单晶SiC层与埋入绝缘层之间的界面附近形成有Si层，并且在所述单晶SiC层上形成有氮化合物半导体层。

5.一种单晶SiC基板的制造方法，其是准备具有规定厚度的表面Si层和埋入绝缘层的Si基板，将所述Si基板在碳系气体气氛中加热使所述表面Si层变成单晶SiC层的单晶SiC基板的制造方法，其中，使所述表面Si层变成单晶SiC层时，使与埋入绝缘层之间界面附近的Si层作为残存Si层残留。

6.根据权利要求5所述的单晶SiC基板的制造方法，通过对在与所述埋入绝缘层之间的界面附近残留有残存Si层的单晶SiC基板进行外延生长，从而再使单晶SiC生长于表面的单晶SiC层的上层。

7.根据权利要求5或6所述的单晶SiC基板的制造方法，其中，所述残存Si层的厚度为3～20nm。

8.一种单晶SiC基板，其是在具有埋入绝缘层的单晶Si基板的比所述埋入绝缘层更靠近表面的表面侧，形成有单晶SiC层的单晶SiC基板，其中，在所述单晶SiC层与埋入绝缘层之间的界面附近形成有Si层。