[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其通过电磁波激发气体来对被处理体进行等离子体处理，具备：

处理容器；

输出电磁波的电磁波源；

传输已从上述电磁波源输出的电磁波的传输线路；

多个介电体板，其被设置在上述处理容器的内壁，用于将电磁波释放到上述处理容器内；

多个第1同轴管，其与上述多个介电体板邻接，向上述多个介电体板传输电磁波；以及

1段或者2段以上的同轴管分配器，其将沿上述传输线路传输来的电磁波分配传输给上述多个第1同轴管，

上述同轴管分配器中的至少一段包括具有输入部的第2同轴管和与上述第2同轴管连结的3根以上的第3同轴管，

第3同轴管分别具有相对于上述第2同轴管呈非垂直地延伸的部分。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，各个第3同轴管具有阻抗变换机构。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，从上述第2同轴管的输入部到上述第2同轴管的端部之间的上述第2同轴管与上述第3同轴管连结的连结部分的数目为2以下。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述第2同轴管与上述第3同轴管连结的连结部之间的未设有上述输入部的连结部之间的电长度大致等于πrad的整数倍。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述第2同轴管与上述第3同轴管连结的连结部之间的未设有上述输入部的连结部之间的电长度大致等于2πrad的整数倍。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，在上述第2同轴管与上述第3同轴管连结的连结部分，每根上述第2同轴管连结有2根上述第3同轴管。

7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述第3同轴管是弯曲的。

8.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述第3同轴管倾斜地与上述第2同轴管连结。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述第3同轴管的内部导体比上述第2同轴管的内部导体细。

10.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述第3同轴管的外部导体比上述第2同轴管的外部导体细。

11.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述第2同轴管的内部导体与外部导体在上述第2同轴管的至少一方的端部短路，

从上述第2同轴管的端部到与上述端部最接近的上述第2同轴管与上述第3同轴管连结的连结部分的电长度大致等于π/2rad的奇数倍。

12.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，当从上述第1同轴管看等离子体侧的阻抗被匹配时，从上述第2同轴管与上述第3同轴管连结的连结部分看上述第3同轴管侧的阻抗大致为电阻性，

当将从上述连结部分看上述第3同轴管侧的电阻设为R_r3、连结于从上述第2同轴管的输入部到上述第2同轴管的一端之间的第3同轴管的数量设为N_s、上述第2同轴管的特性阻抗设为Z_c2时，则上述第2同轴管的特性阻抗Z_c2大致等于R_r3/N_s。

13.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，特性阻抗为Z_c4的第4同轴管与上述第2同轴管的输入部连结，

当从上述第1同轴管看等离子体侧的阻抗被匹配时，从上述第2同轴管与上述第3同轴管连结的连结部分看上述第3同轴管侧的阻抗大致为电阻性，

当将从上述连结部分看上述第3同轴管侧的电阻设为R_r3、与上述第2同轴管连结的第3同轴管的数量设为N_t时，特性阻抗Z_c4大致等于R_r3/N_t。

14.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述第3同轴管的电长度大致为π/2rad。

15.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，上述第3同轴管的内部导体上的与上述第2同轴管连结的连结部分比其他部分细。