[发明专利]太阳能电池单体及其制造方法有效
申请号: | 200980121820.3 | 申请日: | 2009-05-29 |
公开(公告)号: | CN102257642A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | D·比罗;F·克莱芒;O·舒尔茨-维特曼 | 申请(专利权)人: | 弗朗霍夫应用科学研究促进协会 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/068 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 吴鹏;马江立 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 单体 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池单体,包括:
半导体基板,该半导体基板具有正面和基本与所述正面平行的背面;
正面金属化结构(2)和背面金属化结构(6);以及
至少三个具有至少两种不同的导电型的掺杂区域:
-第一导电型的第一掺杂区域布置在所述半导体基板的所述正面上,该第一掺杂区域基本在整个所述正面上延伸;
-第二导电型的第二掺杂区域布置在所述半导体基板的所述背面上,该第二导电型与所述第一导电型相反,该第二掺杂区域部分地在所述背面上延伸,以及
-第一导电型的第三掺杂区域布置在所述背面上,该第三掺杂区域部分地在所述背面上延伸,
其中所述正面金属化结构(2)与所述第一掺杂区域导电地连接,所述背面金属化结构(6)与所述第二掺杂区域导电地连接,以及
所述太阳能电池单体具有导电的连接装置,所述连接装置使所述第三掺杂区域与所述正面金属化结构(2)和/或所述第一掺杂区域导电地连接,
其特征在于,
所述正面金属化结构(2)包括至少一个大致平行于所述正面的正面接触面,所述背面金属化结构(6)包括至少一个大致平行于所述背面的背面接触面,所述正面接触面和所述背面接触面分别为至少0.5mm长和至少0.5mm宽,其中如此设置所述正面接触面和背面接触面,使得所述正面接触面和背面接触面被共同的、垂直于所述背面的虚拟平面穿过,以及
如此设计所述太阳能电池单体,使得在所述太阳能电池单体的所述背面上,沿着所述太阳能电池单体的所述背面与所述虚拟平面之间的一虚拟的背面交线,不存在与所述第三掺杂区域的电连接和不存在与所述第一掺杂区域的电连接,从而使沿着所述背面交线在所述太阳能电池单体的所述背面上被引导的导电的电池单体连接器(11)仅与所述背面金属化结构(6)和/或所述第二掺杂区域导电地连接。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池单体,其特征在于,所述太阳能电池单体的所述背面沿着所述背面交线被所述第二导电型的区域覆盖。
3.根据上述权利要求中任一项所述的太阳能电池单体,其特征在于,所述太阳能电池单体的所述背面沿着所述背面交线且在所述接触面之外被绝缘层覆盖。
4.根据上述权利要求中任一项所述的太阳能电池单体,其特征在于,所述正面金属化结构(2)的所述接触面基本上在所述太阳能电池单体的整个宽度上延伸。
5.根据上述权利要求中任一项所述的太阳能电池单体,其特征在于,所述正面金属化结构(2)和/或所述背面金属化结构(6)具有多个接触面,所述多个接触面位于共同的、垂直于所述正面的截面上。
6.根据上述权利要求中任一项所述的太阳能电池单体,其特征在于,所述正面的所述接触面布置在所述背面的所述接触面上方。
7.根据上述权利要求中任一项所述的太阳能电池单体,其特征在于,所述半导体基板是p型掺杂的硅晶片(1),所述第一区域和第三区域被设计为n型掺杂的发射极,其中所述第一区域设计为在20Ohm/sq至70Ohm/sq范围内的低欧姆发射极,而所述第三区域设计为在70Ohm/sq至130Ohm/sq范围内的高欧姆发射极,尤其是,所述第一区域设计为约50Ohm/sq的发射极,所述第三区域设计为在80Ohm/sq至100Ohm/sq范围内的发射极。
8.根据上述权利要求中任一项所述的太阳能电池单体,其特征在于,所述正面金属化结构(2)设计为标准接触栅极,所述标准接触栅极包括多个基本平行布置的线形的金属化手指和至少一个设计为母线的接触面,所述金属化手指具有在30μm至200μm范围内的宽度,所述接触面以导电地连接所述金属化手指的方式设置成与所述金属化手指基本垂直。
9.根据上述权利要求中任一项所述的太阳能电池单体,其特征在于,所述太阳能电池单体在所述背面上具有多个岛状的、第一导电型的区域,所述第一导电型的岛状区域通过至少一个第二导电型的区域彼此分开。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池单体,其特征在于,每个第一导电型的岛状区域都具有一与该区域导电地连接的金属化结构,尤其是设计成宽度在30μm至200μm范围内的金属化手指的金属化结构。
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