[发明专利]用于改善的传感器灵活性和改善的气隙性能的AMR阵列磁性设计有效
| 申请号： | 200980122477.4 | 申请日： | 2009-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102066965A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | A.德米特里夫;K.E.范奥斯特兰 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01B7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;蒋骏 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 改善 传感器 灵活性 性能 amr 阵列 磁性 设计 | ||
1. 一种AMR位置感测系统，包括：
两个磁铁，其位于磁铁载体中，其中，所述两个磁铁遍及所述两个磁铁的长度被磁化，并且其中，所述磁铁位于所述磁铁载体中；以及
多个AMR位置传感器，其位于所述磁铁载体下面所述两个磁铁之间，其中，所述多个AMR位置传感器与磁通线接触以便生成对气隙变化具有较低敏感度的信号，使得所述磁通线的角不相对于气隙变化而变，并且其中，所述两个磁铁之间的角类似于由所述多个AMR位置传感器的表面上的AMR滑槽形成的角。
2. 权利要求1的系统，其中，所述多个AMR位置传感器检测与所述磁铁载体相关联的直线位置的变化。
3. 权利要求1的系统，其中，所述多个AMR位置传感器检测与所述磁铁载体相关联的角位置的变化。
4. 权利要求1的系统，其中，所述多个AMR位置传感器包括磁阻感测元件阵列。
5. 一种AMR位置感测系统，包括：
两个磁铁，其位于磁铁载体中，其中，所述两个磁铁遍及所述两个磁铁的长度被磁化，并且其中，所述磁铁位于所述磁铁载体中；以及
多个AMR位置传感器，其包括磁阻感测元件阵列，所述多个AMR位置传感器位于所述磁铁载体下面所述两个磁铁之间，其中，所述多个AMR位置传感器与磁通线接触以便生成对气隙变化具有较低敏感度的信号，使得所述磁通线的角不相对于气隙变化而变，并且其中，所述两个磁铁之间的角类似于由所述多个AMR位置传感器的表面上的AMR滑槽形成的角。
6. 权利要求5的系统，其中，所述多个AMR位置传感器检测与所述磁铁载体相关联的直线位置的变化。
7. 权利要求5的系统，其中，所述多个AMR位置传感器检测与所述磁铁载体相关联的角位置的变化。
8. 权利要求5的系统，其中，所述多个AMR位置传感器之中的每个AMR位置传感器包括以AMR位置传感器的旋转阵列配置的旋转位置传感器。
9. 权利要求8的系统，其中，所述AMR位置传感器旋转阵列在沿着旋转磁化方向移动的同时检测所述磁铁载体的位置。
10. 权利要求5的系统，其中，所述两个磁铁包括彼此相距一定距离地定位的第一磁铁和第二磁铁以从而在所述两个磁铁之间产生所述磁通线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霍尼韦尔国际公司，未经霍尼韦尔国际公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980122477.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
