[发明专利]辐射探测器和制造辐射探测器的方法无效
| 申请号： | 200980122524.5 | 申请日： | 2009-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN102066976A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | G·福格特米尔;C·赫尔曼;K·J·恩格尔 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/29 | 分类号： | G01T1/29 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;刘炳胜 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 辐射 探测器 制造 方法 | ||
1.一种辐射探测器(10)，包括像素(1)的阵列，其中，每个像素(1)包括用于将入射辐射转换成电信号的半导体材料的转换层(4)，并且其中，每个像素(10)被至少部分地填充有阻隔材料的沟槽(3)围绕，所述阻隔材料吸收由所述入射辐射生成的光子的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的辐射探测器(10)，其中，每个像素(1)包括子像素(2)的阵列，并且其中，每个子像素(2)被所述沟槽(3)围绕。
3.根据权利要求1所述的辐射探测器(10)，其中，每个像素(1)包括子像素(2)的阵列，并且其中，一群相邻的子像素(2)被所述沟槽(3)围绕。
4.根据权利要求1到3中的任一项所述的辐射探测器(10)，其中，在所述沟槽(3)中的所述阻隔材料的填充系数在整个所述探测器(10)上能设计地变化。
5.根据权利要求1所述的辐射探测器(10)，其中，所述阻隔材料包括在35keV能量以上不表现出K荧光的材料。
6.根据权利要求1所述的辐射探测器(10)，其中，所述阻隔材料包括钼、银或钨。
7.根据权利要求1到4中的任一项所述的辐射探测器(10)，其中，所述阻隔材料是具有中等原子序数Z的材料。
8.根据权利要求1所述的辐射探测器(10)，其中，所述沟槽(3)在所述转换层(4)中的深度处于20μm和600μm之间的范围内。
9.一种制造辐射探测器(10)的方法，包括以下步骤：
-提供半导体材料的衬底(4)；
-在所述衬底(4)中提供沟槽(3)；
-利用隔离层(6)覆盖所述沟槽(3)的表面；
-在所述衬底(4)上提供像素(1)的阵列，其中，每个像素(1)被所述沟槽(3)围绕；
-利用阻隔材料至少部分地填充所述沟槽(3)，所述阻隔材料吸收由入射辐射生成的光子的至少一部分。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述至少部分地填充所述沟槽(3)的步骤包括通过配给装置在所述沟槽(3)内部选择性地设置所述阻隔材料的步骤。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述至少部分地填充所述沟槽(3)的步骤包括应用掩蔽层的步骤，所述掩蔽层为所述沟槽(3)中将至少部分地被填充的那些部分限定开口。
12.一种包括根据权利要求1所述的辐射探测器(10)的X射线探测器。
13.一种成像系统，尤其是X射线、CT、PET、SPECT或核成像装置，包括根据权利要求1所述的X射线辐射探测器(10)。
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