[发明专利]触摸面板的制造方法和成膜装置

说明书

技术领域

本发明涉及触摸面板的制造方法和成膜装置，更详细地，涉及适于设置在液晶显示装置(LCD)等平板显示器(FPD，Flat Panel Display)的显示面上，可通过普通的记录用具或手指等容易地输入，可实现小型化，可减少除显示区域以外的周边区域的面积，可降低制造成本的触摸面板的制造方法和成膜装置。

本申请基于2008年7月9日申请的日本专利申请第2008-179372号主张优先权，在此引用其内容。

背景技术

近些年，随着液晶显示装置(LCD)等平板显示器(FPD)的进步，对于设置在此平板显示器(FPD)的显示面上的触摸面板的新要求也正提高。为了实现这些要求，开发并提出了新的技术。

作为此触摸面板的一种，已知电阻膜方式触摸面板。在此电阻膜方式触摸面板中，以规定间隔对向配置有在主面上形成透明导电膜的一对透明基板以使这些透明导电膜彼此对置。此外，在这些透明导电膜之间矩阵状地配置有多个绝缘性间隔体。此触摸面板具有在向显示面按压视认侧的透明基板上的期望位置时，在该期望位置使一对透明导电膜电连接，将该期望位置的信息以电信号方式输出到外部的功能。

以往，此电阻膜方式触摸面板中，作为透明导电膜材料使用在氧化铟中添加有1～40质量％的氧化锡的添加有锡的氧化铟(ITO，Indium Tin Oxide)。然而，作为ITO原料的铟(In)为稀有金属，估计今后会因难以得到而造成成本上升。因此，作为代替ITO的透明导电材料，丰富且廉价的氧化锌(ZnO)类材料正引起人们关注(例如参见专利文献1)。

该ZnO类材料为通过稍微还原ZnO而稍稍偏离化学计量组成，在ZnO结晶中形成氧空穴而释放自由电子，或者作为杂质添加的B、Al、Ga等进入ZnO晶格中的Zn离子的位置形成离子而释放自由电子等，由此表现出导电性的n型半导体。

该ZnO类材料适用于可对大型基板均匀成膜的溅射。在成膜装置中，通过将ITO等In₂O₃类材料的靶变更为ZnO类材料的靶，可将ZnO成膜。此外，由于ZnO类材料不包含如In₂O₃类材料一样绝缘性高的低级氧化物(InO)，所以不易发生溅射异常。

为了提高防反射性能，该触摸面板也可在透明基板上设置防反射膜。该防反射膜具有折射率不同的多层透明膜重叠的层压结构。作为以往的防反射膜，例如使用折射率1.45～1.46的SiO和折射率2.3～2.55的TiO层压而成的结构。

可是，在使用氧化物靶通过溅射法将SiO和TiO的层压结构成膜时，由于这些氧化物靶的电阻高，所以使用RF电源进行溅射法。此外，在使用可用DC电源或AC电源的Si和Ti的金属靶将上述层压结构成膜时，通过在导入大量的氧化性气体的同时进行溅射的所谓反应溅射形成层压膜。

专利文献1：日本特开平9-87833号公报

然而，将使用现有的ZnO类材料的透明导电膜用于静电容量式触摸面板时，透明性不比现有的ITO膜逊色，但具有电阻率高的问题。

因此，为了使ZnO类透明导电膜的电阻率降至期望值，考虑了在进行溅射法时，将氢气作为还原气体导入腔内，在此还原气氛中成膜的方法。

然而，此时得到的透明导电膜的电阻率切实地降低，但存在在其表面产生少许金属光泽，透过率降低的问题。

此外，防反射膜的成膜工艺中使用SiO和TiO的靶时，由于需要使用RF电源，与使用DC电源或AC电源时相比，成膜速度具有变慢的趋势。

此外，在使用RF电源的装置中，电源成本具有变高的趋势，因情况不同而装置也有可能复杂化。

进而，现有的成膜方法由于需要SiO和TiO的两种靶或者Si和Ti的两种靶，所以需要两种溅射装置。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于，提供在使用氧化锌类透明导电膜或防反射膜等光学膜的触摸面板中，使氧化锌类透明导电膜的电阻率降低，同时可维持对可见光线的透明性的触摸面板的制造方法和成膜装置。

此外，本发明的目的在于，提供在设置防反射膜等光学膜时，也可用一个装置形成透明导电膜或光学膜的触摸面板的制造方法和成膜装置。

此外，本发明的目的在于，提供可以以现有的透明导电膜或光学膜的成膜速度以上的成膜速度成膜的触摸面板的制造方法和成膜装置。