[发明专利]有机薄膜晶体管无效
| 申请号： | 200980123072.2 | 申请日： | 2009-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102084485A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 关谷隆司;中村浩昭 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L29/417;H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 薄膜晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种有机薄膜晶体管，是在基板上至少包含栅电极、绝缘体层、源电极、漏电极以及有机半导体层的底接触型有机薄膜晶体管，其特征在于，
所述源电极及所述漏电极的至少一方具有氧化物层及金属层层叠而成的层叠结构，
所述金属层被用有机薄膜层进行了表面修饰。
2.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其中，在将所述氧化物层的功函数设为IPox，将所述金属层的功函数设为IPmm时，所述IPox及IPmm满足下述式(1)，
IPox＞IPmm …(1)
3.根据权利要求1或2所述的有机薄膜晶体管，其中，在将所述氧化物层的功函数设为IPox，将所述有机半导体层的HOMO能级设为IPorg时，所述IPox及IPorg满足下述式(2)，
IPox＞IPorg …(2)
4.一种权利要求1～3中任意一项所述的有机薄膜晶体管的制造方法，其中，利用溶液工艺形成有机半导体层。
5.一种具备权利要求1～3中任意一项所述的有机薄膜晶体管的装置。
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