[发明专利]对浸渍光刻胶具有选择性的有机抗反射涂层蚀刻方法

权利要求书

1.一种在位于有机抗反射涂层(ARC)层之下和衬底之上的

蚀刻层形成蚀刻特征的方法，所述有机ARC层位于浸渍光刻用光刻胶掩模之下，包括：

将所述有所述蚀刻层的衬底、有机ARC层和浸渍光刻用光刻胶掩模放入处理室中；并且

打开所述有机ARC层，包括：

让有机ARC打开气体混合物流入所述处理室，其中所述有机ARC打开气体混合物包括：

蚀刻气体；和

含有CO的聚合气体；

让所述有机ARC打开气体混合物形成有机ARC打开等离子体；

用所述有机ARC打开等离子体蚀刻所述有机ARC层直至所述有机ARC层打开；以及

在所述蚀刻层被完全蚀刻以前停止所述让有机ARC打开气体混合物流入所述处理室。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述聚合气体还包括CH₃F。

3.根据权利要求2所述的方法，所述蚀刻气体包括N₂和H₂。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括停止所述让有机ARC打开气体混合物流入以后蚀刻所述蚀刻层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述蚀刻所述蚀刻层使用浸渍光刻用光刻胶作为蚀刻掩模，以蚀刻所述蚀刻层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述ARC是BARC。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述光刻胶掩模是193系列或者更高等级浸渍光刻用光刻胶。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述有机ARC与所述浸渍光刻用光刻胶的打开选择比为5∶1。

9.根据权利要求4所述的方法，还包括在所述蚀刻所述蚀刻层后从所述处理室去除所述衬底，以便所述打开所述有机ARC层和蚀刻所述蚀刻层在原位进行。

10.根据权利要求1所述的方法，所述蚀刻气体包括N₂和H₂。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括停止所述让有机ARC打开气体混合物流入以后蚀刻所述蚀刻层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述蚀刻所述蚀刻层使用浸渍光刻用光刻胶作为蚀刻掩模，以蚀刻所述蚀刻层。

13.根据权利要求11所述的方法，还包括在所述蚀刻所述蚀刻层后从所述处理室去除所述衬底，以便所述打开所述有机ARC层和蚀刻所述蚀刻层在原位进行。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述ARC是BARC。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述光刻胶掩模是193系列或者更高等级浸渍光刻用光刻胶。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机ARC与所述浸渍光刻用光刻胶的打开选择比为5∶1。

17.根据权利要求1-2中任意一项权利要求所述的方法，所述蚀刻气体包括N₂和H₂。

18.根据权利要求1-2和17中任意一项权利要求所述的方法，还包括停止所述让有机ARC打开气体混合物流入以后蚀刻所述蚀刻层。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述蚀刻所述蚀刻层使用浸渍光刻用光刻胶作为蚀刻掩模，以蚀刻所述蚀刻层。

20.根据权利要求1-2和17-19中任意一项权利要求所述的方法，其中所述ARC是BARC。

21.根据权利要求1-2和17-20中任意一项权利要求所述的方法，其中所述光刻胶掩模是193系列或者更高等级浸渍光刻用光刻胶。

22.根据权利要求1-2和17-21中任意一项权利要求所述的方法，其中所述有机ARC与所述浸渍光刻用光刻胶的打开选择比为5∶1。

23.根据权利要求18-22中任意一项权利要求所述的方法，还包括在所述蚀刻所述蚀刻层后从所述处理室去除所述衬底，以便所述打开所述有机ARC层和蚀刻所述蚀刻层在原位进行。