[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 200980123226.8 | 申请日: | 2009-12-22 |
公开(公告)号: | CN102165592A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 松岛英晃 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56;C09K11/06 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;徐健 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置是排列多个像素部而成的,
各像素部构成为具有第一电极及第二电极、和夹在所述第一电极与所述第二电极之间的有机发光层,
在所述第一电极的上方,立设有按各所述像素部区划所述有机发光层的多个堤,
所述多个像素部包括第一像素部和第二像素部,所述第一像素部位于所述排列的中央部侧,所述第二像素部相对于所述第一像素部而位于所述排列的端部侧,
所述多个堤包括第一堤、第二堤、第三堤以及第四堤,所述第一堤在所述排列的端部侧区划所述第一像素部的所述有机发光层,所述第二堤在所述排列的中央部侧区划所述第一像素部的所述有机发光层,所述第三堤在所述排列的端部侧区划所述第二像素部的所述有机发光层,所述第四堤在所述排列的中央部侧区划所述第二像素部的所述有机发光层,
所述第三堤的与所述第二像素部对应的侧面部的倾斜角度与所述第一堤的与所述第一像素部对应的侧面部的倾斜角度不同。
2.根据权利要求1所述的显示装置,
所述第三堤的所述侧面部的倾斜角度比所述第一堤的所述侧面部的倾斜角度大。
3.根据权利要求2所述的显示装置,
所述第二堤的与所述第一像素部对应的侧面部,形成为其倾斜角度与所述第四堤的与所述第二像素部对应的侧面部的倾斜角度相等。
4.根据权利要求2所述的显示装置,
所述第一堤的所述侧面部,形成为其倾斜角度与所述第二堤的与所述第一像素部对应的侧面部的倾斜角度、以及所述第四堤的与所述第二像素部对应的侧面部的倾斜角度相等。
5.根据权利要求1所述的显示装置,
所述第三堤的所述侧面部的所述倾斜角度处于35°以上且40°以下的范围内,
所述第一堤的所述侧面部的所述倾斜角度处于25°以上且30°以下的范围内。
6.根据权利要求5所述的显示装置,
所述第二堤的与所述第一像素部对应的侧面部的所述倾斜角度、以及所述第一堤的所述侧面部的所述倾斜角度处于25°以上且30°以下的范围内。
7.根据权利要求1所述的显示装置,
所述倾斜角度为所述堤的各侧面部与设置所述堤的基底层的上面所成的角度。
8.一种显示装置的制造方法,所述显示装置是排列多个像素部而成的,所述制造方法包括:
第一工序,在基板上形成包括第一电极的功能层;
第二工序,在所述功能层上层叠感光性抗蚀材料;
第三工序,通过对所述层叠的感光性抗蚀材料进行掩模曝光而进行图形化,形成与多个像素部对应的多个开口部,并且形成对相邻的所述开口部之间进行区划的多个堤;
第四工序,对所述多个开口部的各个开口部,滴下含有有机发光材料的墨并使其干燥,形成有机发光层;以及
第五工序,在所述有机发光层的上方形成第二电极,
所述多个开口部包括第一开口部和第二开口部,所述第一开口部位于所述排列的中央部侧,所述第二开口部相对于所述第一开口部而位于所述排列的端部侧,
所述多个堤包括第一堤、第二堤、第三堤以及第四堤,所述第一堤在所述排列的端部侧对所述第一开口部进行区划,所述第二堤在所述排列的中央部侧对所述第一开口部进行区划,所述第三堤在所述排列的端部侧对所述第二开口部进行区划,所述第四堤在所述排列的中央部侧对所述第二开口部进行区划,
在所述第三工序中,以使第三堤的与所述第二开口部对应的侧面部的倾斜角度与所述第一堤的与所述第一开口部对应的侧面部的倾斜角度不同的方式,形成所述第一堤和所述第三堤。
9.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法,
在所述第三工序中,以使第三堤的所述侧面部的倾斜角度比所述第一堤的所述侧面部的倾斜角度大的方式,形成所述第一堤和所述第三堤。
10.根据权利要求9所述的显示装置的制造方法,
在所述第三工序中,以使所述第二堤的与所述第一开口部对应的侧面部的倾斜角度与所述第四堤的与所述第二开口部对应的侧面部的倾斜角度相等的方式,形成所述第二堤和所述第四堤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的