[发明专利]光化学电极、其建造及用途无效
申请号: | 200980123489.9 | 申请日: | 2009-06-28 |
公开(公告)号: | CN102067351A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | I·韦勒尔;R·泰尔-韦里德;H·贝克尔伊迪兹 | 申请(专利权)人: | 耶路撒冷希伯来大学伊萨姆研发有限公司 |
主分类号: | H01L51/46 | 分类号: | H01L51/46 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民;潘满根 |
地址: | 以色列*** | 国省代码: | 以色列;IL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光化学 电极 建造 用途 | ||
1.一种电极,其包括与基体连接的导电表面;
所述基体包括多种半导体纳米颗粒和贵金属纳米颗粒;
其中基本上所述多种纳米颗粒的每一种纳米颗粒通过至少一种能够调节所述基体的纳米颗粒之间的电子传递的基体连接基团与另一种纳米颗粒连接;和
所述多种纳米颗粒的至少一部分通过至少一种能够调节所述基体与所述导电表面之间的电子传递的表面连接基团与所述导电表面连接。
2.根据权利要求1所述电极,其中所述多种半导体纳米颗粒的每一种半导体纳米颗粒选自硫化镉、硒化镉、碲化镉、硒化铟、及其任何组合。
3.根据权利要求1或2所述电极,其中所述多种贵金属纳米颗粒的每一种贵金属纳米颗粒选自钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、金及其任何组合。
4.根据前述权利要求的任一项所述电极,其中在基体中半导体纳米颗粒和贵金属纳米颗粒之间存在比例,即在大约0.1至大约10.0之间。
5.根据前述权利要求的任一项所述电极,其中经过电荷跳跃或者电子隧道完成由基体连接基团和/或表面连接基团调节的电子传递。
6.根据前述权利要求的任一项所述电极,其中所述基体连接基团是一种电聚合的低聚物。
7.根据权利要求6所述电极,其中所述电聚合低聚物包括至少两个结合团,所述结合团可以是相同的或者不同的并且各自与所述基体的至少一种纳米颗粒独立地化学地结合。
8.根据权利要求6或7所述电极,其中电聚合低聚物包括一个或者多个任选地取代的芳香或者杂芳部分。
9.根据权利要求1至8的任一项所述电极,其中所述基体连接基团是式(I)的基团:
(I)Z1-L1-Z2
其中可以相同或者不同的所述Z1和Z2的每一个是与至少一种纳米颗粒独立地化学地结合的键或者部分;和
L1是包括至少一种电聚合的单体或者其低聚物的连接体基团。
10.根据权利要求9所述电极,其中L1包括一个或者多个任选地取代的芳香或者杂芳部分。
11.根据权利要求9所述电极,其中电聚合单体选自硫苯胺、苯硫酚、氨基-苯硫酚、硫代吡咯及其任何组合。
12.根据前述权利要求的任一项所述电极,其中所述表面连接基团是一种电聚合的低聚物。
13.根据权利要求12所述电极,其中所述电聚合低聚物包括至少两个结合团,所述结合团可以是相同的或者不同的并且各自与所述基体和/或导电表面的至少一种纳米颗粒独立地化学地结合。
14.根据权利要求13所述电极,其中所述电聚合低聚物包括一个或者多个任选地取代的芳香或者杂芳部分。
15.根据前述权利要求的任一项所述电极,其中所述表面连接基团是式(II)的基团:
(II)Z3-L2-Z4
其中可以相同或者不同的所述Z3和Z4的每一个是各自与至少一种纳米颗粒或者导电表面独立地化学地结合的键或者部分;和
L2是包括至少一种电聚合的单体或者其低聚物的连接体基团。
16.根据权利要求15所述电极,其中L2包括一个或者多个任选地取代的芳香或者杂芳部分。
17.根据权利要求15所述电极,其中所述电聚合单体选自硫苯胺、苯硫酚、氨基-苯硫酚、硫代吡咯或其任何组合。
18.根据权利要求9或15所述电极,其中Z1、Z2、Z3和Z4是相同的。
19.根据权利要求9或15所述电极,其中L1和L2是相同的。
20.根据前述权利要求的任一项所述电极,还包括至少一个具有比所述半导体纳米颗粒的导带更正的氧化还原电势的电子受体基团。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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