[发明专利]在蚀刻制程中利用红外线传输的衬底温度测量

权利要求书

1.一种用以在蚀刻制程期间测量衬底温度的设备，包括：

腔室主体，其具有腔室盖以封闭该腔室主体；

衬底支撑组件，其设置在该腔室主体中，并具有衬底支撑表面；

多个窗口，其形成在该衬底支撑表面中；

信号产生器，其经由该衬底支撑组件光学地耦接到这些窗口；以及

传感器，其设置在该衬底支撑组件上方，并对齐以接收来自该信号产生器而穿透至少一个窗口插塞的能量，其中该传感器被配置以检测可表明穿透率的度量。

2.如权利要求1所述的设备，还包括：

多个盖窗口，其形成在该腔室盖中，形成在该腔室盖中的至少一个盖窗口将该传感器与该腔室主体的内部隔离。

3.如权利要求1所述的设备，其中该信号产生器被配置以提供波长介于约1000nm与约1400nm之间的红外光。

4.如权利要求1所述的设备，其中这些窗口由石英、蓝宝石、或由波长介于约1000nm与约1400nm之间的红外光可穿透的其它陶瓷材料制成。

5.如权利要求1所述的设备，还包括：

第二信号产生器，其被安排以产生向下导向该衬底支撑表面的信号；以及

第二传感器，其被安排以接收来自该第二信号产生器而穿透该衬底支撑组件的窗口的信号的一部分。

6.如权利要求5所述的设备，还包括：

多个盖窗口，其形成在该腔室盖中，形成在该腔室盖中的至少一个盖窗口将该第二信号产生器与该腔室主体的内部隔离。

7.如权利要求1所述的设备，还包括：

滤波器，其被定位以对导向该传感器的信号进行过滤。

8.如权利要求1所述的设备，其中这些窗口分布遍及该衬底支撑表面。

9.如权利要求1所述的设备，其中这些窗口包括至少一个内窗口与多个外窗口，该至少一个内窗口靠近该衬底支撑组件的中心线，而上述多个外窗口相对于上述至少一个内窗口位于距离该中心线的更大的径向位置处。

10.如权利要求9所述的设备，其中至少一个外窗口位于距离该内窗口约75mm至约150mm的位置处。

11.如权利要求9所述的设备，还包括：

多个盖窗口，其形成在该腔室盖中，这些盖窗口与形成在该衬底支撑组件中的这些窗口对齐。

12.一种用以在工件上执行制程期间测量温度的方法，包括以下步骤：

在该工件上执行该制程，该制程改变该工件的温度；

在执行该制程时，使红外光穿透该工件；

检测经传送的红外光的度量，其中该度量可表明该工件的穿透率；并且

根据该经检测的度量来计算工件温度。

13.如权利要求12所述的方法，其中该工件是半导体晶片，并且该检测的步骤包括：

引导波长介于约1000nm与约1400nm的红外光使其穿透该工件。

14.如权利要求13所述的方法，其中该检测的步骤包括：

检测穿透该工件的不同区域的红外光的度量。

15.如权利要求12所述的方法，其中该检测穿透的红外光的度量的步骤包括：

分析穿过所述工件的中央部分的第一信号；并且

分析在中央部分的外侧穿过所述工件的第二信号。