[发明专利]在化学气相沉积反应器中用于管丝的夹头及电桥的连接点

权利要求书

1.一种化学气相沉积反应器系统，包括：

至少一个具有第一端与第二端的管丝，所述管丝组构成用以承载电流；

晶种，贴附至所述管丝的所述第一端；以及

至少连接至所述晶种的夹头，所述夹头形成有突出部，且所述突出部对应于所述晶种的凹槽，以使所述夹头电性连接至所述管丝。

2.如权利要求1所述的系统，其中，所述突出部位于接近所述夹头的中心。

3.如权利要求1所述的系统，其中，所述晶种能自所述夹头分离。

4.如权利要求1所述的系统，其中，所述晶种在形成所述管丝后贴附至所述夹头。

5.如权利要求1所述的系统，其中，所述晶种由石墨制成。

6.如权利要求1所述的系统，其中，所述至少一个管丝包括第一与第二管丝，且所述第一与第二管丝中的每一个连接至各自的晶种与夹头。

7.一种化学气相沉积反应器系统，包括：

具有第一端与第二端的第一管丝，所述第一管丝组构成用以承载电流，而所述第二端电性连接到至少一个电极；

具有第一端与第二端的第二管丝，所述第二管丝组构成用以承载电流；以及

电桥，用于连接所述第一与第二管丝。

8.如权利要求7所述的系统，其中，所述电桥包括多个凹部，且所述凹部中的每一个用于接合所述第一与第二管丝的所述第一端之一。

9.如权利要求8所述的系统，其中，所述凹部中的每一个具有用于提供通气路径的至少一个通气孔。

10.如权利要求7所述的系统，其中，所述电桥组构成用以完整地重叠所述第一与第二管丝的所述第一端的周围。

11.如权利要求7所述的系统，其中，所述电桥包括凹槽，且所述凹槽用于接合所述第一与第二管丝的所述第一端之一的至少一部分。

12.如权利要求11所述的系统，其中，所述电桥组构成不会完整地重叠所述第一与第二管丝的所述第一端的周围。

13.如权利要求7所述的系统，其中，所述电桥包含多个切口，且所述切口用于接合所述第一与第二管丝。

14.如权利要求7所述的系统，其中，所述电桥由硅制成。

15.一种化学气相沉积反应器系统，包括：

至少一个具有第一端与第二端的管丝，且所述第一端连接至电桥；

所述电桥具有接触部，用以机械地接合所述至少一个管丝；以及

所述接触部具有至少一个凹部，用以接合所述管丝的所述第一端。

16.如权利要求15所述的系统，其中，所述至少一个凹部还包括至少一个通气孔。

17.如权利要求15所述的系统，其中，所述接触部组构成用以完整地重叠所述第一端的周围。

18.如权利要求15所述的系统，其中，所述接触部组构成不会完整地重叠所述第一端的周围。

19.如权利要求15所述的系统，其中，所述电桥由硅制成。

20.一种在化学气相沉积反应器中于夹头上形成管丝的方法，包括下列步骤：

提供连接至所述夹头的晶种，且所述晶种可自所述夹头分离；

将至少一部分的所述夹头插入硅熔体中；以及

自所述硅熔体抽回所述夹头，使管丝直接形成在所述夹头上。

21.如权利要求20所述的方法，其中，所述晶种为能够重复使用的晶种，且能够自所述夹头分离地连接至所述夹头。

22.如权利要求20所述的方法，其中，所述硅熔体容置于坩锅内。

23.如权利要求22所述的方法，还包括下列步骤：

根据容置于所述坩锅内的熔料量，调整所述管丝的长度。

24.如权利要求20所述的方法，还包括下列步骤：

将所述能够重复使用的晶种自所述夹头分离。

25.一种在化学气相沉积反应器中于夹头上形成管丝的方法，包括下列步骤：

提供连接至所述夹头的晶种；

将至少一部分的所述夹头插入硅熔体；

自所述硅熔体抽回所述夹头，使管丝形成在所述晶种上；以及

将所述管丝连接至所述夹头。