[发明专利]光电转换装置和光电转换装置的制造方法无效
| 申请号： | 200980123940.7 | 申请日： | 2009-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102067325A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 鹤我薰典;山口贤刚;吴屋真之;坂井智嗣 | 申请（专利权）人： | 三菱重工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;车文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 制造 方法 | ||
1.一种光电转换装置，在基板上具备层叠p层、i层和n层而成的光电转换层，其特征在于，
所述n层包括含氮n层和在该含氮n层的与所述基板相反侧的面上形成的界面处理层，
所述含氮n层以1％以上且20％以下的原子浓度含有氮原子，并且结晶化率为0以上且小于3，
所述界面处理层为结晶化率1以上且6以下。
2.根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，
所述界面处理层的电导率为1S/cm以上且100S/cm以下。
3.根据权利要求1或2所述的光电转换装置，其特征在于，
所述界面处理层的厚度为1nm以上且3nm以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的光电转换装置，其特征在于，
所述界面处理层与背面侧的透明电极层接触。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的光电转换装置，其特征在于，
所述界面处理层与中间接触层接触。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的光电转换装置，其特征在于，
所述i层为结晶质的本征半导体。
7.一种光电转换装置的制造方法，包括在基板上形成层叠p层、i层和n层而成的硅类的光电转换层的工序，其特征在于，
形成所述n层的工序包括：形成氮原子浓度为1％以上且20％以下并且结晶化率为0以上且小于3的含氮n层的工序；及在该含氮n层的与所述基板相反侧的面上形成结晶化率为1以上且6以下的界面处理层的工序。
8.根据权利要求7所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于：
将所述界面处理层形成为电导率在1S/cm以上且100S/cm以下。
9.根据权利要求7或8所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，
以1nm以上且3nm以下的膜厚形成所述界面处理层。
10.根据权利要求7～9中任一项所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，
以30MHz以上且100MHz以下的高频频率、利用高频等离子体CVD法形成所述含氮n层。
11.根据权利要求7～10中任一项所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，
包括在所述界面处理层上形成背面侧的透明电极层的工序。
12.根据权利要求7～10中任一项所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，
包括在所述界面处理层上形成中间接触层的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
