[发明专利]元件阵列、机电转换装置及其制造方法有效
申请号: | 200980124101.7 | 申请日: | 2009-06-29 |
公开(公告)号: | CN102076428A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | 江崎隆博;张建六;添田康宏;玉森研尔 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | B06B1/02 | 分类号: | B06B1/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 杨国权 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 阵列 机电 转换 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种元件阵列,包括多个具有第一电极和第二电极的元件,在第一电极和第二电极之间具有空隙;
通过凹槽对于每个元件分离第一电极,
绝缘的连接衬底与第一电极接合,以及
从对于每个元件分离的各个第一电极中的每一个第一电极穿过所述连接衬底到与第一电极相对的一侧地形成布线。
2.根据权利要求1所述的元件阵列,其中所述连接衬底具有用于所述布线的通孔。
3.根据权利要求2所述的元件阵列,其中与所述通孔一一对应地形成第一电极。
4.根据权利要求1所述的元件阵列,其中所述布线和第一电极不共轴。
5.根据权利要求1到4中任何一个所述的元件阵列,其中在第一电极和所述连接衬底之间的接合界面处由所述连接衬底封上凹槽。
6.根据权利要求2到5中任何一个所述的元件阵列,其中所述通孔从与第一电极的接合面穿过所述连接衬底朝向相对面扩大。
7.根据权利要求1到6中任何一个所述的元件阵列,其中所述连接衬底具有从3.8到10的范围的相对介电常数、不低于5GPa的杨氏模量、以及不大于元件衬底的热膨胀系数的三倍的热膨胀系数。
8.根据权利要求1到7中任何一个所述的元件阵列,其中第一电极由半导体材料形成。
9.根据权利要求1到8中任何一个所述的元件阵列,其中第一电极和所述连接衬底通过熔化接合、压力接合、阳极接合、直接接合和扩散接合中的任意一种来接合。
10.一种机电转换装置,包括具有多个元件的元件衬底以及电路衬底,所述元件具有第一电极和第二电极,在第一电极和第二电极之间具有空隙;其中所述元件衬底具有为了对于每个元件分离第一电极而形成的凹槽,
绝缘的连接衬底与第一电极接合,以便利用所述连接衬底的插入来固定所述元件衬底和所述电路衬底,以及
由穿过所述连接衬底设置的布线使第一电极和所述电路衬底电连接。
11.一种用于制造机电转换装置的方法,所述机电转换装置具有被固定到元件衬底的电路衬底,所述元件衬底具有第一电极和第二电极,并且在第一电极和第二电极之间具有空隙,所述方法包括:
将用于使第一电极与所述电路衬底电连接的绝缘的连接衬底与所述元件衬底接合;
在与所述连接衬底接合的所述元件衬底上形成用于对于每个元件分离第一电极的凹槽;以及
将所述连接衬底与所述电路衬底固定在一起。
12.根据权利要求11所述的用于制造机电转换装置的方法,包括在所述连接衬底中形成用于将第一电极与所述电路衬底电连接的布线、以及用于形成所述布线的通孔。
13.根据权利要求11或12所述的用于制造机电转换装置的方法,其中,在所述凹槽的形成中,在所述连接衬底与所述元件衬底接合之前所述凹槽被形成为不穿透第一电极,并且在所述连接衬底与所述元件电极接合之后去除所述凹槽的剩余的部分。
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