[发明专利]用于限定用于成像体积的磁场的磁组件和方法有效

专利信息
申请号: 200980124177.X 申请日: 2009-06-25
公开(公告)号: CN102150222A 公开(公告)日: 2011-08-10
发明(设计)人: 吉诺·B·法洛内;托尼·塔迪奇;布雷德·穆雷 申请(专利权)人: 艾伯塔健康服务中心
主分类号: H01F7/00 分类号: H01F7/00;G01R33/387;G01R33/3875;H01F41/02;G01R33/48;G21K1/093
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 梁晓广;关兆辉
地址: 加拿大*** 国省代码: 加拿大;CA
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摘要:
搜索关键词: 用于 限定 成像 体积 磁场 组件 方法
【权利要求书】:

1.一种磁组件,包括:

至少两个磁体,所述至少两个磁体以彼此固定的间隔关系进行布置,由此在所述磁体之间限定包含成像体积的空间,所述磁体中的每一个在其向内的表面上产生多个磁场强度,所述多个磁场强度以组合的方式在所述成像体积内产生可接受地均匀的磁场。

2.根据权利要求1所述的磁组件,其中,所述可接受地均匀的磁场具有大约10ppm或更小的磁场不均匀性。

3.一种磁共振成像(MRI)装置,包括:

根据权利要求1所述的磁组件;以及

检测器,所述检测器检测当在扰动后重新与基本上均匀的磁场对齐时由在所述成像体积内的质子发射的射频信号,其中成像基于检测的射频信号。

4.根据权利要求1所述的磁组件,其中,每一个磁体被成形为具有多个厚度的磁材料,从而产生所述多个磁场强度。

5.根据权利要求1所述的磁组件,其中,每一个磁体包括线圈磁体,每一个线圈磁体具有各自的属性,从而产生所述多个磁场强度。

6.根据权利要求5所述的磁组件,其中,所述线圈磁体的属性包括线圈匝数、线圈线径、线圈形状、线圈位置和线圈电流中的至少一种。

7.一种限定用于成像体积的磁场的方法,所述方法包括:

产生磁组件的初始模型;

基于所述模型来估计用于所述成像体积的磁场;

计算估计的磁场和用于所述成像体积的目标磁场之间的偏差;以及

通过修改所述磁组件以产生多个磁场强度来更新所述模型以减少所述偏差,所述多个磁场强度以组合的方式基本上产生所述成像体积中的所述目标磁场。

8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述目标磁场是均匀的磁场。

9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述初始模型基于指定所述磁组件的参数,并且所述更新包括修改所述参数中的一个或多个。

10.根据权利要求8所述的方法,其中,所述磁组件包括至少两个磁体,所述至少两个磁体以彼此固定的间隔关系进行布置,从而在所述至少两个磁体之间限定包含目标体积的空间。

11.根据权利要求10所述的方法,其中,通过轭组件来将所述至少两个磁体保持在所述固定的间隔关系,并且所述轭组件是所述初始模型的一部分。

12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述轭组件包括与各磁体相关联的两个轭板,以及连接所述两个轭板的柱。

13.根据权利要求10所述的方法,其中,所述磁体每一个包括与所述两个磁体之间的空间相邻的向内的表面。

14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述更新包括:

修改表示所述向内的表面之一或两者的表面几何形状的一个或多个参数。

15.根据权利要求14所述的方法,其中,表示所述向内的表面之一或两者的表面几何形状的可变参数包括向内的表面上的各点的沿着所述磁组件的纵轴的位置。

16.根据权利要求14所述的方法,其中,修改所述可变参数以轴对称地修改所述表面几何形状。

17.根据权利要求14所述的方法,其中,修改所述可变参数以非轴对称地修改所述表面几何形状。

18.根据权利要求9所述的方法,其中,指定所述磁组件的参数包括用于指定以下至少一种的参数:磁体形状、磁体尺寸、磁体材料和可允许的磁组件大小的范围。

19.根据权利要求18所述的方法,其中,在所述修改期间能够修改至少所述磁体形状和磁体尺寸。

20.根据权利要求18所述的方法,其中,在所述修改期间,至少所述可允许的磁组件大小的范围保持不变。

21.根据权利要求13所述的方法,其中,在所述初始模型中,所述参数指定所述磁体的向内的表面是平的,并且在所述修改期间,修改所述参数以指定所述磁体的向内的表面中的至少一个不是平的。

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