[发明专利]用于碲和硒薄膜的ALD的前体的合成和应用

权利要求书

1.在反应室中的基底上形成含Te或Se的薄膜的原子层沉积(ALD)方法，所述方法包括多个沉积循环，每一循环包括：

向所述反应室中提供第一蒸气相反应物的脉冲，以便在所述基底上形成不超过约单分子层的所述第一反应物；

从所述反应室去除过量的第一反应物；

向所述反应室提供第二蒸气相Te或Se反应物的脉冲，以使所述第二蒸气相反应物与所述基底上的所述第一反应物反应，形成含Te或Se的薄膜，其中所述Te或Se反应物是Te(SiR¹R²R³)₂或Se(SiR¹R²R³)₂，其中R¹、R²和R³是具有一个或更多个碳原子的烷基基团；以及

如果存在过量的第二反应物和反应副产物，则从所述反应室去除它们。

2.权利要求1所述的方法，其中所述Te或Se反应物中的所述Te或Se没有结合氢原子。

3.权利要求1所述的方法，其中所述Te或Se反应物中的所述Te或Se具有氧化态-2。

4.权利要求1所述的方法，其中所述Te或Se反应物是Te(SiEt₃)₂、Te(SiMe₃)₂、Se(SiEt₃)₂或Se(SiMe₃)₂。

5.权利要求1所述的方法，其中所述第一蒸气相反应物包含Sb，其中所述第二蒸气相反应物包含Te。

6.权利要求5所述的方法，其中所述沉积温度低于约80℃。

7.权利要求5所述的方法，其中所述第一蒸气相反应物是SbCl₃。

8.权利要求1所述的方法，其中所述第一蒸气相反应物脉冲包含Ge，其中所述沉积薄膜包含Ge-Te。

9.权利要求8所述的方法，其中所述第一蒸气相反应物是GeBr₂或GeCl₂-C₄H₈O₂。

10.权利要求8所述的方法，进一步包括多个Ge-Te沉积循环，其中所述Ge-Te沉积循环包括：

向所述反应室中提供包含Ge前体的第一蒸气相反应物脉冲，以便在所述基底上形成不超过约单分子层的所述Ge前体；

从所述反应室去除过量的第一反应物；

向所述反应室提供包含Te前体的第二蒸气相反应物脉冲，以使所述Te前体与所述基底上的所述Ge前体反应，其中所述Te前体具有所述式Te(SiR¹R²R³)₂，其中R¹、R²和R³是烷基基团。

11.权利要求10所述的方法，其中以约1∶1的比率进行所述Ge-Te沉积循环和Sb-Te沉积循环。

12.权利要求10所述的方法，其中所述Ge前体包含GeX₂，其中X是卤素或GeCl₂-C₄H₈O₂。

13.权利要求1所述的方法，其中所述第一蒸气相反应物包含Bi，其中所述沉积膜包含Bi-Te。

14.权利要求13所述的方法，其中所述第一蒸气相反应物是BiX₃，其中X是卤素。

15.权利要求13所述的方法，其中所述第一蒸气相反应物是BiCl₃。

16.权利要求1所述的方法，其中所述第一蒸气相反应物包含Zn，其中所述沉积膜包含Zn-Te。

17.权利要求16所述的方法，其中所述第一蒸气相反应物是ZnX₂，其中X是卤素。