[发明专利]光掩模等离子体蚀刻过程中的原位室干法清洁方法和设备

权利要求书

1.一种用于在光掩模等离子体蚀刻之后的原位室干法清洁的方法，其包括如下步骤：

将光掩模放置在支撑底座上；

将处理气体引入处理室中；

由所述处理气体形成等离子体；

在存在等离子体的情况下，蚀刻设置在所述光掩模上的含铬层；

从所述支撑底座移除所述光掩模；以及

通过在伪衬底被放置在所述支撑底座上时使得含O₂的清洁气体流动通过所述处理室，来执行原位干法清洁处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述清洁气体不含氯。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述清洁气体还包括氯。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述清洁气体包括以约50到约1000sccm的速率提供的氧气。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述清洁气体中的氧气的流速在约50到约1000sccm之间，并且其中所述清洁气体中的氯气的流速在约25到约500sccm之间。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述清洁气体中的氧气的流速在约50到约400sccm之间，并且其中所述清洁气体中的氯气的流速在约50到约400sccm之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述清洁气体中的氧气的流速为约100sccm，并且其中所述清洁气体中的氯气的流速为约100sccm。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在不存在偏压功率的情况下执行所述干法清洁处理。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，使用RF功率来维持由所述清洁气体形成的等离子体，在不存在偏压功率的情况下，所施加的RF功率的范围在约150到1500W之间。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，以在约15％到约85％之间的外部线圈与内部线圈的功率比，将RF功率施加到邻近所述室放置的所述外部线圈和所述内部线圈。

11.一种用于在光掩模等离子体蚀刻之后的原位室干法清洁的方法，其包括如下步骤：

将光掩模放置在设置于处理室中的支撑底座上；

在施加偏压功率的同时，对放置在所述光掩模上的含铬层进行等离子体蚀刻；

从所述处理室移除经蚀刻的所述光掩模；和

在从所述处理室移除经蚀刻的所述光掩模之后，在存在由含O₂的清洁气体形成的清洁等离子体以及不存在偏压功率的情况下，执行原位干法清洁处理。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述清洁气体中的氧气的流速在约50到约1000sccm之间，并且其中所述清洁气体中的氯气的流速在约25到约500sccm之间。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述清洁气体中的氧气的流速在约50到约400sccm之间，并且其中所述清洁气体中的氯气的流速在约50到约400sccm之间。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，使用RF功率来维持所述清洁等离子体，在不存在偏压功率的情况下，所述RF功率的范围在150到1500W之间。

15.根据权利要求11所述的方法还包括如下步骤：

在移除经蚀刻的所述光掩模之后，在所述支撑底座上放置伪衬底；以及

在所述伪衬底被放置在所述支撑底座上时，执行所述原位干法清洁。