[发明专利]光电转换装置的制造方法和光电转换装置无效
| 申请号： | 200980124733.3 | 申请日： | 2009-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102084493A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 吴屋真之;坂井智嗣 | 申请（专利权）人： | 三菱重工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;车文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光电转换装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：利用以包含硅烷系气体和氢气的气体作为原料气体的等离子体CVD法，在所述基板的每单位面积的所述氢气流量为80slm/m2以上的条件下，在基板上形成硅系光电转换层。
2.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，
作为所述氢气流量相对于所述硅烷系气体流量之比的氢稀释率为40倍以上且150倍以下。
3.根据权利要求1或2所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，
所述基板的面积为1m2以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，
以1.5nm/s以上制成所述光电转换层。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，
以2nm/s以上制成所述光电转换层。
6.一种光电转换装置，利用权利要求1～5中任一项所述的制造方法制造，其特征在于，
所述基板的面积为1m2以上，
所述光电转换层具备结晶质硅i层，
该结晶质硅i层包括结晶质硅相的拉曼峰值强度相对于非结晶硅相的拉曼峰值强度之比即拉曼峰值比为3.5以上且8以下范围内的区域，
并且在所述基板面内的所述拉曼峰值比为2.5以下范围内的区域的面积比例为3％以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
