[发明专利]薄膜晶体管、半导体装置及电子设备有效
| 申请号： | 200980124788.4 | 申请日： | 2009-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN102077354A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 伊佐敏行;神保安弘;手塚祐朗;大力浩二;宫入秀和;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 半导体 装置 电子设备 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括：
覆盖具有绝缘表面的衬底上的栅电极的栅极绝缘层；
与所述栅极绝缘层接触的第一半导体层；
层叠于所述第一半导体层上的第二半导体层；以及
与所述第二半导体层的一部分接触并形成源区和漏区的杂质半导体层，
其中所述第二半导体层包括具有NH基或NH2基的非晶半导体层。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二半导体层所包含的不同的半导体原子与所述NH基交联。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二半导体层所包含的半导体原子中的不同的悬空键与所述NH2基端接。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一半导体层是微晶半导体层。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一半导体层是散布的微晶半导体层或网状微晶半导体层。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，通过二次离子质谱分析法测得的所述第二半导体层的氧浓度小于或等于5×1018cm-3。
7.一种薄膜晶体管，包括：
与具有绝缘表面的衬底上的栅电极接触的栅极绝缘层；
与所述栅极绝缘层接触的半导体层；
形成源区和漏区的杂质半导体层；以及
在所述半导体层与所述杂质半导体层之间形成的缓冲层，
其中所述缓冲层包括具有NH基或NH2基的非晶半导体层。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述缓冲层所包含的不同的半导体原子与所述NH基交联。
9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述缓冲层所包含的不同的半导体原子中的不同的悬空键与所述NH2基端接。
10.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层是微晶半导体层。
11.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层是散布的微晶半导体层或网状微晶半导体层。
12.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，通过二次离子质谱分析法测得的所述缓冲层的氧浓度小于或等于5×1018cm-3。
13.根据权利要求1或7所述的薄膜晶体管，其特征在于，形成所述源区和漏区的所述杂质半导体层中包括NH基。
14.一种半导体装置，包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
覆盖具有绝缘表面的衬底上的栅电极的栅极绝缘层；
与所述栅极绝缘层接触的第一半导体层；
层叠于所述第一半导体层上的第二半导体层；以及
与所述第二半导体层的一部分接触并形成源区和漏区的杂质半导体层，
其中所述第二半导体层包括具有NH基或NH2基的非晶半导体层。
15.一种具有根据权利要求14所述的半导体装置的电子设备，其特征在于，所述电子设备是从由电视装置、蜂窝电话、便携型计算机、以及台灯组成的组中选择的。
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