[发明专利]基板加热装置、具备该装置的液体材料涂布装置以及基板加热方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种对涂布有液体材料的基板进行加热的基板加热装置、具备该装置的涂布装置以及基板加热方法。尤其涉及一种在半导体封装的底部填充步骤中，直至底部填充步骤结束为止对于基板以及载置于其上的芯片不会造成损伤的基板加热装置、具备该装置的涂布装置以及基板加热方法。

并且，在本说明书中，有时将载置有半导体芯片等工件的基板仅称为基板。

背景技术

在半导体芯片的安装技术中，有被称作倒装芯片(flip chip)方式的技术。在倒装芯片方式中，在半导体芯片1的表面形成突起状电极，将其相对于基板2上的电极垫而直接连接。

在倒装芯片封装中，为了防止由半导体芯片1与基板2的热膨胀系数的差所产生的应力集中于连接部3，致使连接部3破损，从而向半导体芯片1与基板2的间隙中填充树脂4以加强连接部3。该步骤即称为底部填充(参照图1)。

底部填充步骤通过下述方式而进行：沿着半导体芯片1的外周涂布液状树脂4，并在利用毛细管现象向半导体芯片1与基板2的间隙中填充树脂4后，用烘箱等进行加热，而使树脂4硬化。

近年来，制品的小型化、薄型化得到进一步发展，伴随此发展，倒装芯片方式的半导体芯片1以及基板2本身也在向小型化、薄型化发展。如果变为小型、薄型，则由于容易向半导体芯片1以及基板2传递热，从而容易受周围温度的影响，在由此而产生的上述应力的作用下，连接部3容易破损。因此，为了确实地进行底部填充步骤中的加强而降低树脂的粘度，并且为了容易进行填充而加热基板。

例如，在专利文献1中，揭示有一种基板加热装置，其通过喷射经加热的气体而加热基板，该基板加热装置的特征在于包括：加热单元，其具有朝向基板的底面并向上方突出而设置的突出部，并且形成有气体流路，该气体流路的一端连通于突出部的上面所开口的喷出孔，另一端连通于气体供给部；气体加热部件，其对流动于气体流路内的气体进行加热；开闭阀，其打开或者关闭气体向气体流路中的流入；以及阀控制部，其通过控制开闭阀的开闭动作而将基板加热至目标温度。

并且，在专利文献2中，揭示有一种电子零件的安装方法，其在底部填充步骤中，在向IC芯片与基板间注入树脂时，对IC芯片中通电，使经加热的热板仅接触IC芯片，或者仅对IC芯片施加振动，由此使IC芯片与基板的对向间的树脂的粘性低于其它部位的树脂的粘性。

在专利文献3中，揭示有一种半导体装置的制造装置，其具有载置已搭载有半导体芯片的卷带式自动接合(TAB，Tape Automated Bonding)卷带的涂布台(stage)，并向半导体芯片与TAB卷带之间供给树脂，该半导体装置的制造装置的特征在于具有在涂布台上对半导体芯片与TAB卷带进行加热的加热部件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2006-314861号公报

专利文献2：日本专利特开2005-45284号公报

专利文献3：日本专利特开2007-227558号公报

发明内容

(发明要解决的问题)

如上述各专利文献中所记载，仅在涂布时进行基板加热的基板加热装置在先前已存在。然而，在申请人所了解的范围内，不存在贯穿涂布的前后而进行基板加热的装置。即，先前的基板加热装置存在下述问题：由于涂布前后的搬送时为非加热样态，因此涂布时与搬送时的温度变化变大，上述因热膨胀系数的差所产生的应力的变化变大，因而连接部容易破损。

因此，本发明的目的在于提供一种可贯穿涂布作业的前后而减小载置有半导体芯片的基板的温度变化，并防止连接部的破损的基板加热装置、具备该装置的涂布装置以及基板加热方法。

(解决技术问题的技术方案)

本发明第1方面基板加热装置，用于从下方对朝着一个方向被搬送、并且在搬送途中对配置于其上的工件进行涂布作业的基板进行加热，所述基板加热装置的特征在于包括：加热构件，具备抵接于所述基板的底面来加热基板的平坦的上面、以及形成于该上面并且向所述基板的底面喷出加热用气体的喷出用开口；以及升降机构，使加热构件升降。

本发明第2方面的基板加热装置的特征为，在本发明第1方面中，所述加热构件在其上面具有使吸引力作用于所述基板的底面的吸引用开口，在所述升降机构的上升位置，从所述吸引用开口而使吸引力发挥作用，使所述加热构件的上面接触于所述基板的底面来加热所述基板，在所述升降机构的下降位置，从所述喷出用开口喷出经加热的气体来加热所述基板。