[发明专利]配线结构、薄膜晶体管基板及其制造方法、以及显示装置无效
| 申请号： | 200980125535.9 | 申请日： | 2009-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN102077323A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 川上信之;福间信也;三木绫;越智元隆;森田晋也;横田嘉宏;后藤裕史 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/52;H01L23/522;H01L29/417;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宝荣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 薄膜晶体管 及其 制造 方法 以及 显示装置 | ||
1.一种配线结构，其在基板上从基板侧起依次具备半导体层、和纯Cu或Cu合金的Cu系合金膜，其中，
在所述半导体层与所述Cu系合金膜之间，包含从基板侧起依次为含有选自氮、碳及氟中的至少一种元素的(N、C、F)层、和含有Cu及Si的Cu-Si扩散层的层叠结构，且所述(N、C、F)层所含的氮、碳及氟中的至少一种元素与所述半导体层所含的Si相结合。
2.根据权利要求1所述的配线结构，其中，所述Cu-Si扩散层通过在依次形成所述(N、C、F)层、半导体层、及所述Cu系合金膜之后施加热处理而得到。
3.根据权利要求1所述的配线结构，其中，所述半导体层含有非晶硅或多晶硅。
4.一种薄膜晶体管基板，其具备权利要求1～3中任一项所述的配线结构。
5.一种显示装置，其具备权利要求4所述的薄膜晶体管基板。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的配线结构，其构成显示装置或半导体装置。
7.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其是制造权利要求4所述的薄膜晶体管基板的方法，依次包括，
在薄膜晶体管的半导体层上形成含有选自氮、碳及氟中的至少一种元素的(N、C、F)层的第1工序，以及，
在所述第1工序后，形成半导体层的第2工序。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，所述第1工序在半导体层形成装置中进行处理。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，所述第1工序和所述第2工序在同一半导体层形成用腔室内连续地进行。
10.根据权利要求7所述的制造方法，其中，所述第1工序包含如下步骤：通过利用含有选自氮、碳及氟中的至少一种元素的气体的等离子体蚀刻，来形成(N、C、F)层。
11.根据权利要求7所述的制造方法，其中，所述第1工序包含如下步骤：通过利用含有选自氮、碳及氟中的至少一种元素的气体与半导体层形成所使用的原料气体的混合气体的等离子体蚀刻，来形成(N、C、F)层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社神户制钢所，未经株式会社神户制钢所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980125535.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于电流检测的计数传感器
- 下一篇：夜光调节开关
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
