[发明专利]用于钝化硅晶片的沉积方法

权利要求书

1.一种用于向硅晶片(4)上施加非晶态氢化碳的双面沉积(7)的方法，所述晶片(4)包括第一主侧和第二主侧，所述第一主侧具有在所述第一主侧的边界上的第一斜面，所述第二主侧具有中心区和在所述第二主侧的包围所述中心区的边界上的第二斜面，所述第二主侧与所述第一主侧相反布置，所述方法包括以下步骤：在衬底载板(3)的衬底支撑件(31)上装配所述晶片(4)，所述衬底支撑件(31)被形成为使得所述晶片(4)放置于所述衬底支撑件(31)上而仅它的所述第二主侧的中心区与所述衬底支撑件(31)接触；并且在等离子体反应器的反应室(8)中放置具有所述晶片(4)的所述衬底载板，其中所述第一斜面和所述第二斜面同时暴露于等离子体(6)以便产生所述沉积(7)，其中非晶态氢化碳用作所述等离子体。

2.如权利要求1所述的方法，其中在所述晶片内的温度在所述沉积工艺期间保持于200℃以下。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述晶片(4)在装配于所述衬底载板(3)上之前被冷却，或者其中所述衬底载板(3)在放置于所述反应室(8)之前被冷却，或者其中所述晶片(4)和所述衬底载板(3)被放置于所述反应室(8)中。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述反应室(8)包括两个平行板电极(1，2)，并且其中所述晶片(4)在所述沉积工艺期间由布置于所述反应室(8)的所述电极(2)中的冷却装置(22)有源地冷却或者其中所述晶片(4)在所述沉积工艺期间由布置于所述衬底载板(3)或者所述衬底载板(3)的所述衬底支撑件(31)中的冷却装置(32)有源地冷却。

5.一种用于承载硅晶片(4)的衬底载板(3)，所述硅晶片(4)用于在沉积工艺期间制造半导体器件，所述沉积工艺用于在等离子体反应器室(8)中在所述晶片(4)的表面上沉积双面沉积(7)，所述晶片(4)包括第一主侧和第二主侧，所述第一主侧具有在所述第一主侧的边界上的第一斜面，所述第二主侧具有中心区和在所述第二主侧的包围所述中心区的边界上的第二斜面，所述第二主侧与所述第一主侧相反布置，其特征在于所述衬底载板(3)包括用于承载所述晶片(4)的衬底支撑件(31)，所述衬底支撑件(31)被形成为使得所述晶片(4)可以放置于所述衬底支撑件(31)上而仅它的所述第二主侧的中心区与所述衬底支撑件(31)接触。

6.如权利要求5所述的衬底载板，包括圆柱形衬底支撑件(31)，或者包括如下的衬底支撑件(31)，所述衬底支撑件在表面平面中具有所述晶片的所述中心区可以放置于其上的表面区并且所述衬底载板(3)具有随着与所述表面平面的距离而减少至少直至第一深度的横截面。

7.如权利要求5或者6之一所述的衬底载板，包括各自用于承载晶片(4)的若干衬底支撑件(31)。

8.如权利要求5至7之一所述的衬底载板，所述衬底支撑件(31)为附着到所述衬底载板(3)的单独部分。

9.如权利要求5至8之一所述的衬底载板，其中所述衬底载板(3)包括第一晶片可以承载于其上的衬底支撑件(31)，并且至少一个另外的晶片可以堆叠于所述第一晶片上。

10.如权利要求9所述的衬底载板，其中附加衬底支撑件(31’)可以布置于所述堆叠中的相邻晶片(4，4’)之间，来自各对相邻晶片的所述晶片被附加衬底支撑件(31’)相互分离。

11.如权利要求10所述的衬底载板，其中冷却装置(32)布置于所述附加衬底支撑件(31’)中。

12.如权利要求10或者11之一所述的衬底载板，其中导电连接(34)布置于所述附加衬底支撑件(31’)与所述衬底支撑件(31)和/或所述衬底载板(3)和/或承载电极(2)的所述衬底载板(3)之间。

13.一种用于在硅晶片(4)上沉积双面沉积(7)的沉积装置，包括在等离子体反应器的反应室(8)内的两个平行板电极(1，2)、根据权利要求3至6中的任一权利要求所述的衬底载板(3)，其中至少一个晶片(4)放置于所述衬底支撑件(31)上，所述衬底载板(3)可以放置于所述电极之一(2)上。

14.如权利要求13所述的沉积装置，包括用于在所述沉积工艺期间冷却所述晶片(4)的冷却装置(22，32)。