[发明专利]发光元件无效
申请号: | 200980125702.X | 申请日: | 2009-06-26 |
公开(公告)号: | CN102084514A | 公开(公告)日: | 2011-06-01 |
发明(设计)人: | 长尾和真;新井猛;池田武史;富永刚;田中大作;市桥泰宜;上冈耕司 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;C09K11/06 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
1.一种发光元件,是在形成于基板上的第一电极上包含薄膜层和在薄膜层上形成的第二电极的有机电致发光元件,所述薄膜层至少包含发光层和电子传输层,所述发光元件的特征在于,所述电子传输层包含下述通式(1)所示的有机化合物和供电子性化合物,
Y是取代或未取代的芘、或取代或未取代的蒽的任一者;A1选自单键、亚芳基和亚杂芳基;Ar选自咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基;这些基团可以被取代也可以不被取代;n1是1~3的整数。
2.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,供电子性化合物是碱金属、含有碱金属的无机盐、碱金属与有机物的络合物、碱土金属、含有碱土金属的无机盐或碱土金属与有机物的络合物。
3.根据权利要求1或2所述的发光元件,其特征在于,供电子性化合物是碱金属与有机物的络合物、或碱土金属与有机物的络合物。
4.根据权利要求1~3的任一项所述的发光元件,其特征在于,发光层含有磷光发光材料。
5.根据权利要求1~4的任一项所述的发光元件,其特征在于,空穴注入层和/或空穴传输层含有下述通式(8)所示的化合物,
R170~R175可以分别相同也可以不同,选自卤素原子、磺酰基、羰基、硝基、氰基、三氟甲基。
6.根据权利要求1~5的任一项所述的发光元件,其特征在于,所述有机化合物以下述通式(2)表示,
R1~R18可以分别相同也可以不同,选自氢原子、烷基、环烷基、杂环基、链烯基、环烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素原子、羰基、羧基、氧基羰基、氨基甲酰基、氨基、甲硅烷基和-P(=O)R19R20;R19和R20是芳基或杂芳基;R1~R20可以在相邻取代基之间形成环;n2是1~3的整数;X2选自-O-、-S-和-NR21-;R21选自氢原子、烷基、环烷基、杂环基、链烯基、环烯基、炔基、芳基、杂芳基和氨基;R21可以与R11或R18结合而形成环;A2选自单键、亚芳基和亚杂芳基;A2在R1~R10中的任意n2个和R11~R21中的任意1个的位置连接;其中,R3、R6、R8的至少1个是与R1不同的基团。
7.根据权利要求6所述的发光元件,其特征在于,所述有机化合物以下述通式(3)表示,
R30~R46可以分别相同也可以不同,选自氢原子、烷基、环烷基、杂环基、链烯基、环烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素原子、羰基、羧基、氧基羰基、氨基甲酰基、氨基、甲硅烷基和-P(=O)R47R48;R47和R48是芳基或杂芳基;R30~R48可以在相邻取代基之间形成环;A3是亚芳基或亚杂芳基;其中,R32和R34的至少1个是芳基或杂芳基,或R33是烷基或环烷基。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择