[发明专利]制造太阳能电池单粒膜的方法及单粒膜和太阳能电池有效
申请号: | 200980125727.X | 申请日: | 2009-06-10 |
公开(公告)号: | CN102177592A | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
发明(设计)人: | 迪特尔·迈斯纳 | 申请(专利权)人: | 晶体太阳有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0384;H01L31/04 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 车文;樊卫民 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 太阳能电池 单粒膜 方法 | ||
1.用于制造单粒膜的方法,具有以下步骤:提供由粘结剂(19)组成的层;将颗粒(20)穿过所述层的表面置入所述层内并且特别是部分置入所述层内;所述粘结剂(19)固化。
2.按权利要求1所述的方法,其中,所述颗粒(20)由能将阳光转换为电能的材料组成,至少所述颗粒的从所述层凸出的部分包括p-n结,并且粘结剂由不能导电的材料组成,从而所述层(19)是电绝缘件,其中,所述颗粒(20)特别是以结晶的方式产生和/或者由电半导体组成。
3.按前述权利要求之一所述的方法,其中,单粒膜被呈幅材状连续地制造,其中,将具有凸出来的所述颗粒(20)的不导电的所述层(19)和具有导电材料的在侧向上与所述层(19)邻接的区域(18)交替地呈幅材状或者带状地制造,从而两个具有凸出来的所述颗粒(20)的不导电的所述层(19)通过一个具有导电材料的带状的区域(18)被分开。
4.按前述权利要求之一所述的方法,其中,导电的所述区域(18)比不导电的所述层(19)窄数倍。
5.按前述权利要求之一所述的方法,其中,由粘结剂组成的所述层(19)被置于由固体组成的载体(16)之上,并且这样提供由粘结剂组成的层,其中,所述载体(16)的上表面与所述层(19)的上表面之间的距离这样调整,即,所述距离小于被部分置入所述层(19)内的所述颗粒(20)的直径。
6.特别是按前述权利要求之一所述的方法,具有以下步骤:将不导电的粘结剂(19)和导电的粘结剂(18)彼此邻接地呈幅材状或者带状地作为层施加到幅材状载体(16)的粘性的或者设有粘接剂(17)的表面上;
随后,将具有用于形成p-n结的涂层的颗粒以每个颗粒各一个分区域的方式置入不导电的所述层(19)内,从而颗粒一直达到幅材状的所述载体(16)的粘性的或者设有粘接剂的表面;
不导电的所述层(19)以及导电层(18)的表面分段地呈幅材状地以透明的导电的材料(21)以如下方式覆盖,即,使导电的透明的材料的每个幅材状段与仅一个处于所述段下面的导电层(18)电连接,并且反过来每个处于所述段下面的导电层(18)与仅一个幅材状的导电的透明的段(21)电连接;
随后,去除所述载体(16)连同粘性的表面或者粘接剂层(17)以及颗粒的直接邻接的p-n涂层;
这样露置的表面被呈幅材状地以及分段地以导电材料(26)覆盖,从而每个生成的幅材状的段(26)与仅一个处于所述段(26)下面的导电层(18)电连接,并且反过来每个处于所述段(26)下面的导电层(18)与仅一个幅材状的导电的段(18)电连接,其中,两个通过一个导电层(18)相互连接的外部的导电的段(21、26)覆盖具有凸出来的颗粒的不同的层(19)。
7.单粒膜,具有层状的粘结剂(19)和部分处于所述粘结剂(19)中的颗粒(20),所述颗粒(20)在膜的一侧上相对于所述层(19)的表面凸出来,其中,层状的所述粘结剂优选是包括导电区域的基体的部分。
8.按前述装置权利要求所述的单粒膜,所述单粒膜以在侧向上与一个具有所述颗粒(20)的不导电的绝缘件层(19)相邻接的方式设有两个导电层(18),其中,所述导电层(18)设置在所述绝缘件层(19)的相对置侧上,并且所述导电层同样具有颗粒。
9.按前两项权利要求之一所述的单粒膜,其中,所述粘结剂(19)是电绝缘件,所述颗粒(20)这样制成,即,所述颗粒(20)能将辐射而且特别是阳光转换成电能,所述颗粒(20)的凸出来的部分包括p-n涂层,所述p-n涂层继续进入所述绝缘件层(19)内,并且所述颗粒(20)的凸出来的部分无粘结剂残余。
10.按前述权利要求之一所述的单粒膜,其中,具有所述颗粒的层(19)的底侧和表面是平坦的。
11.按前述装置权利要求之一所述的单粒膜,其中,所述颗粒(20)在所述层(19)的与具有凸出来的所述颗粒的表面相对置的表面上不包括p-n涂层。
12.按前述装置权利要求所述的单粒膜,其中,不具有p-n涂层的颗粒表面区域与所述粘结剂(19)的相邻接的表面处于一个平面内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的