[发明专利]整修多部件电极的方法

权利要求书

1.一种整修多部件电极的方法，所述多部件电极包含连接在导电垫板上的硅电极，所述方法包括：

去除所述多部件电极上的金属离子，所用方法为将所述多部件电极在基本上无醇的并且包含硫酸、过氧化氢和水的磷酸氢二钠(DSP)溶液中浸泡，接着用去离子水清洗所述多部件电极；

去除所述多部件电极上的金属离子后，将所述多部件电极的一个或者一个以上的表面抛光；接着

去除所述多部件电极硅表面的杂质，所用方法为用包含氢氟酸、硝酸、醋酸和水的混合酸溶液处理所述经抛光的多部件电极，然后用去离子水清洗所述经处理的多部件电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，按体积，所述DSP溶液包含大量的水。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，按体积，所述DSP溶液包含的过氧化氢多于硫酸。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，按体积，所述DSP溶液包含至少大约80％水。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，按体积，所述DSP溶液包含大约70-90％的水，大约10-20％的过氧化氢，以及大约10％的硫酸。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，按体积，所述DSP溶液包含大约80％的水，大约15％的过氧化氢，以及大约5％的硫酸。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，用于去除所述多部件电极上的金属离子和杂质的去离子水电阻率至少大约12MΩ-cm。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，用于去除所述多部件电极上的金属离子和杂质的去离子水温度不高于大约20±5℃。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面抛光在基本上连续的去离子水水流下进行，所述去离子水水流温度不高于大约20±5℃，并且其流量足以阻止所述电极表面的去离子水温度升到大约25℃以上。

10.根据权利要求1所述的方法，其中：

在用所述混合酸溶液处理所述经抛光的多部件电极前，在去离子水中对所述多部件电极通过超声清洗工序处理，从而去除所述多部件电极硅表面的杂质；

用于超声清洗工序中的所述去离子水温度不超过大约20±5℃；并且

用于所述超声清洗工序中的去离子水其超声功率密度在大约1.5瓦/厘米²和大约3.1瓦/厘米²之间，频率大约40千赫兹。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，用所述混合酸溶液擦拭所述电极表面，以处理所述经抛光的多部件电极。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述多部件电极包含淋浴头电极，实施所述擦拭工序时，所述电极要用固定装置夹持，并且将压缩的氮气引导流经所述淋浴头电极的淋浴头通道，以防止所述混合酸溶液被吸进所述淋浴头通道里。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述擦拭工序之后，在不超过大约20±5℃的温度下，进行去离子水清洗工艺。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，用KOH溶液擦拭所述电极表面，从而去除所述经抛光的多部件电极上的污迹。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，用包含氢氟酸、硝酸和水的酸洗溶液擦拭所述导电垫板的表面，从而去除所述经抛光的多部件电极上的污迹。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多部件电极包括连接到导电铝基垫板或导电石墨基垫板上的硅电极。

17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多部件电极设置成淋浴头电极或者包绕淋浴头电极的环形电极。

18.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括，通过在不超过40psi的压强下，使CO₂颗粒流向或者流过所述多部件电极的表面，去除杂质。

19.根据权利要求1所述的方法，其中，用去离子水进行清洗后，用所述混合酸溶液反复擦拭所述电极表面，从而去除所述多部件电极上的杂质。

20.一种整修多部件电极的方法，所述多部件电极包含连接在导电垫板上的硅电极，所述方法包括：

去除所述多部件电极上的金属离子，所用方法为让所述多部件电极在基本上无醇的并且按体积，包含大约70-90％的水、大约10-20％的过氧化氢以及至多大约10％的硫酸的DSP溶液中浸泡，接着用去离子水清洗所述多部件电极，其中所述去离子水的电阻率至少大约12MΩ-cm，并且所述去离子水的温度大约20±5℃；

去除所述多部件电极上的金属离子后，将所述多部件电极的一个或者一个以上的表面抛光，其中所述表面抛光是在基本上连续的去离子水水流下进行，所述去离子水水流温度大约20±5℃，并且其流量足以阻止所述电极表面的去离子水温度升到大约25℃以上；

在用包含氢氟酸、硝酸、醋酸和水的混合酸溶液处理所述经抛光的多部件电极前，在去离子水中对所述多部件电极通过超声清洗工序处理，从而去除所述多部件电极硅表面的杂质，接着用去离子水处理所述多部件电极，其中用于超声清洗工序中的所述去离子水的温度大约20±5℃，并且用于所述超声清洗工序中的所述去离子水其超声功率密度在大约1.5瓦/厘米²和3.1瓦/厘米²之间，频率大约40千赫兹。