[发明专利]基于隧道效应的三栅极或多栅极器件

权利要求书

1. 一种三栅极或多栅极器件，包括衬底上的被电子可隧穿的间隙间隔开的至少两个隧道电极，

其特征在于，

该器件具有用于给所述间隙施加如下电场的装置，该电场使得在所述隧道电极之间隧穿的电子的路径由于通过该场的偏转而被延长。

2. 一种三栅极或多栅极器件，包括衬底上的被电子可隧穿的间隙间隔开的至少两个隧道电极，

其特征在于，

设置有用于给所述间隙施加如下电场的装置，该电场具有如下的场力线：所述场力线与所述隧道电极之间的最短路径相交而不结束于所述隧道电极之一。

3. 根据权利要求1或2所述的器件，

其特征在于，

所述衬底为绝缘体。

4. 根据权利要求1至3之一所述的器件，

其特征在于，

所述衬底包含塑料。

5. 根据权利要求1至4之一所述的器件，

其特征在于，

所述间隙被用真空或气体填充。

6. 根据权利要求1至5之一所述的器件，

其特征在于，

所述隧道电极在预先给定的运行温度下具有超导特性。

7. 根据权利要求1至6之一所述的器件，

其特征在于，

该装置包括至少一个被布置在所述衬底上的控制电极。

8. 根据权利要求7所述的器件，

其特征在于，

所述控制电极与每个其它控制电极或隧道电极的最短距离大于所述隧道电极之间的最短距离。

9. 根据权利要求7至8之一所述的器件，

其特征在于，

设置有至少两个控制电极，其中所述控制电极之间的最短连线穿过所述间隙或者从上方或下方穿过所述间隙。

10. 根据权利要求1至9之一所述的器件，

其特征在于，

至少一个隧道电极和/或控制电极朝间隙方向变细。

11. 根据权利要求10所述的器件，

其特征在于，

尖峰的最前面的部分具有30°或以下、优选10°或以下的开角。

12. 一种电子开关，

其特征在于，

其被构造成根据权利要求1至11之一所述的器件。

13. 一种晶体管，

其特征在于，

其被构造成根据权利要求1至11之一所述的器件。

14. 一种处理器，包括多个晶体管，

其特征在于，

该处理器包括至少一个根据权利要求13所述的晶体管。

15. 一种用于在使用根据权利要求1至11之一所述的器件的情况下以纳米尺度测量样本的电子迁移率的方法，具有步骤：

●将样本至少部分置入隧道电极之间的间隙中；

●给所述间隙施加隧道电流；

●给所述间隙施加具有与隧道电流垂直的分量的磁场；

●测量利用所述隧道电流所运送的电荷的分离。