[发明专利]制造AlxGa(1-x)N单晶的方法、AlxGa(1-x)N单晶和光学透镜

权利要求书

1.一种制造Al_xGa_(1-x)N单晶(10)的方法，所述Al_xGa_(1-x)N(0＜x≤1)单晶(10，12)是通过升华法生长的，所述方法包括下述步骤：

准备底部衬底(11)，

准备高纯度原料(17)，以及

通过升华所述原料(17)而在所述底部衬底(11)上生长所述Al_xGa_(1-x)N单晶(10，12)。

2.根据权利要求1的制造Al_xGa_(1-x)N单晶(10)的方法，其中所述生长步骤包括生长厚度大于或等于300μm的所述Al_xGa_(1-x)N单晶(10，12)的步骤。

3.根据权利要求1的制造Al_xGa_(1-x)N单晶(10)的方法，其中所述准备步骤包括准备具有与所述Al_xGa_(1-x)N单晶(10，12)的组成相同的组成的所述底部衬底(11)的步骤。

4.一种Al_xGa_(1-x)N(0＜x≤1)单晶(10)，所述Al_xGa_(1-x)N单晶(10)具有在300K下测得的，对波长大于或等于250nm并且小于或等于300nm的光为大于或等于2.4的折射率，以及对波长大于300nm并且小于350nm的光为大于或等于2.3的折射率。

5.根据权利要求4的Al_xGa_(1-x)N单晶(10)，其中对波长大于或等于300nm并且小于350nm的光，在300K下测得的吸收系数小于或等于27cm^-1。

6.根据权利要求4的Al_xGa_(1-x)N单晶(10)，其中位错密度小于或等于1×10⁶cm^-2。

7.根据权利要求4的Al_xGa_(1-x)N单晶，其中氧浓度小于或等于1×10¹⁹cm^-3。

8.根据权利要求4的Al_xGa_(1-x)N单晶(10)，所述Al_xGa_(1-x)N单晶(10)具有表面粗糙度RMS小于或等于100nm的主面。

9.根据权利要求4的Al_xGa_(1-x)N单晶(10)，其中宽度或直径大于或等于5mm，且厚度大于或等于300μm.

10.一种使用权利要求4所述的Al_xGa_(1-x)N单晶(10)制作的光学透镜(20，30)。

11.根据权利要求10的光学透镜(20，30)，所述光学透镜(20，30)包含平面和从所述平面延伸的半球状球形部，

其中所述平面是(0001)面或平行于所述(0001)面的面。

12.根据权利要求10的光学透镜(20，30)，所述光学透镜(20，30)包含平面和从所述平面延伸的超半球状球形部，

其中所述平面是(0001)面或平行于所述(0001)面的面。