[发明专利]薄膜电池正极的制造方法和薄膜电池的制造方法有效
| 申请号： | 200980126242.2 | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN102084520B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 古谷龙也;高原克典;守冈宏之;佐飞裕一 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01M4/04 | 分类号： | H01M4/04;H01M10/40 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 吴孟秋,梁韬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 电池 正极 制造 方法 | ||
1.一种薄膜电池正极的制造方法，包括：
制膜步骤，形成正极材料的膜，从而形成正极活性物质膜；
退火步骤，退火所述正极活性物质膜；以及
锂离子引入步骤，在所述退火步骤之后，向所述正极活性物质膜引入锂离子。
2.根据权利要求1所述的薄膜电池正极的制造方法，还包括反溅射步骤，在所述锂离子引入步骤之后，对所述正极活性物质膜进行反溅射。
3.根据权利要求1所述的薄膜电池正极的制造方法，其中，
所述正极材料包含含有锂和过渡金属的锂复合氧化物。
4.根据权利要求1所述的薄膜电池正极的制造方法，其中，所述正极材料包含具有尖晶石结构的锂复合氧化物。
5.根据权利要求1所述的薄膜电池正极的制造方法，其中，在所述退火步骤中，在300℃至1000℃下、在空气中进行退火。
6.根据权利要求1所述的薄膜电池正极的制造方法，其中，在所述退火步骤中，在100℃至1000℃下、在真空中进行退火。
7.一种薄膜电池正极的制造方法，包括：
制膜步骤，在加热基板的情况下形成正极材料的膜，从而形成正极活性物质膜；以及
锂离子引入步骤，在所述制膜步骤之后，向所述正极活性物质膜引入锂离子。
8.根据权利要求7所述的薄膜电池正极的制造方法，还包括反溅射步骤，在所述锂离子引入步骤之后，对所述正极活性物质膜进行反溅射。
9.根据权利要求7所述的薄膜电池正极的制造方法，其中，
所述正极材料包含含有锂和过渡金属的锂复合氧化物。
10.根据权利要求7所述的薄膜电池正极的制造方法，其中，所述正极材料包含具有层状结构的锂复合氧化物。
11.根据权利要求7所述的薄膜电池正极的制造方法，其中，在所述制膜步骤中，加热所述基板的温度为100℃至1000℃。
12.一种薄膜电池正极的制造方法，包括：
制膜步骤，在施加磁场的情况下形成正极材料的膜，从而形成正极活性物质膜；以及
锂离子引入步骤，在所述制膜步骤之后，向所述正极活性物质膜引入锂离子。
13.根据权利要求12所述的薄膜电池正极的制造方法，还包括反溅射步骤，在所述锂离子引入步骤之后，对所述正极活性物质膜进行反溅射。
14.根据权利要求12所述的薄膜电池正极的制造方法，其中，
所述正极材料包含含有锂和过渡金属的锂复合氧化物。
15.根据权利要求12所述的薄膜电池正极的制造方法，其中，所述正极材料包含具有层状结构的锂复合氧化物。
16.一种薄膜电池的制造方法，该薄膜电池包含正极活性物质膜、负极活性物质膜和固体电解质膜，所述制造方法包括：
制膜步骤，形成正极材料的膜，从而形成所述正极活性物质膜；
退火步骤，退火所述正极活性物质膜；以及
锂离子引入步骤，在所述退火步骤之后，向所述正极活性物质膜引入锂离子。
17.一种薄膜电池的制造方法，该薄膜电池包含正极活性物质膜、负极活性物质膜和固体电解质膜，所述制造方法包括：
制膜步骤，在加热基板的情况下形成正极材料的膜，从而形成所述正极活性物质膜；以及
锂离子引入步骤，在所述制膜步骤之后，向所述正极活性物质膜引入锂离子。
18.一种薄膜电池的制造方法，该薄膜电池包含正极活性物质膜、负极活性物质膜和固体电解质膜，所述制造方法包括：
制膜步骤，在施加磁场的情况下形成正极材料的膜，从而形成所述正极活性物质膜；以及
锂离子引入步骤，在所述制膜步骤之后，向所述正极活性物质膜引入锂离子。
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