[发明专利]薄膜太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 200980126260.0 | 申请日: | 2009-05-22 |
公开(公告)号: | CN102089884A | 公开(公告)日: | 2011-06-08 |
发明(设计)人: | 山林弘也;时冈秀忠;山向干雄 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 金春实 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:
第一透明导电膜形成工序,在透明绝缘基板上形成在基板面内相互分离的多个第一透明导电膜;
第二透明导电膜形成工序,在所述第一透明导电膜上形成第二透明导电膜;
蚀刻工序,将所述第二透明导电膜蚀刻为粒状来形成分散在所述第一透明导电膜上的第一粒状体;
发电层形成工序,在所述第一透明导电膜上以及所述分散的第一粒状体上形成发电层;以及
背面电极层形成工序,在所述发电层上形成背面电极层。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于,
在所述蚀刻工序中,所述第二透明导电膜的蚀刻速度比所述第一透明导电膜的蚀刻速度快,并且所述第二透明导电膜通过蚀刻液被加工为分散在所述第一透明导电膜上的第一粒状体。
3.根据权利要求2所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于,
在所述蚀刻工序中,所述第二透明导电膜通过所述蚀刻液被加工为分散在所述第一透明导电膜上的第一粒状体之后,通过与所述蚀刻液相比相对于所述第一透明导电膜的蚀刻速度的所述第二透明导电膜的蚀刻速度比更大的其它蚀刻液,进一步蚀刻所述分散的第一粒状体,使其成为更微细的第一微细粒状体。
4.根据权利要求1或者2所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于,
所述第二透明导电膜为以氧化锌为主成分的膜,
在所述蚀刻工序中,通过包含草酸的第一溶液来蚀刻所述第二透明导电膜之后,通过包含盐酸、硫酸、硝酸、氢氟酸、醋酸以及蚁酸中的任一种的第二溶液来进行蚀刻。
5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于,
在所述发电层形成工序和所述背面电极层形成工序之间,包括:
第三透明导电膜形成工序,在所述发电层的表面形成第三透明导电膜;以及
蚀刻工序,将所述第三透明导电膜蚀刻为粒状来形成分散在所述发电层上的第二粒状体,
在所述背面电极层形成工序中,在所述分散的第二粒状体上以及所述发电层上形成所述背面电极层。
6.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于,
在所述蚀刻工序中,在所述透明绝缘基板上的第一透明导电膜之间也将所述第二透明导电膜蚀刻为粒状,形成分散在所述透明绝缘基板上的相邻的第一透明导电膜之间的第三粒状体。
7.根据权利要求6所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于,
在所述蚀刻工序中,所述第二透明导电膜通过所述蚀刻液被加工为所述第三粒状体之后,通过与所述蚀刻液相比相对于所述第一透明导电膜的蚀刻速度的所述第二透明导电膜的蚀刻速度比更大的其它蚀刻液,进一步蚀刻所述分散的第三粒状体,使其成为更微细的第二微细粒状体。
8.根据权利要求7所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于,
蚀刻所述分散的第三粒状体使得所述透明绝缘基板上的相互分离的第一透明导电膜之间的分离电阻成为1兆欧以上。
9.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于,
所述第二透明导电膜为以氧化锌为主成分的膜,
在所述蚀刻工序中,通过包含草酸的第一溶液来蚀刻所述第二透明导电膜之后,通过使用了混合气体的平行平板型反应离子蚀刻来进行蚀刻,从而形成第三微细粒状体,并且在所述第一透明导电膜的表面以及所述透明绝缘基板中的所述相邻的第一透明导电膜之间的表面形成凹凸形状,其中,所述混合气体混合了:三氟甲烷、四氟甲烷、六氟化硫、氩中的任一种单体气体和氧或者氦。
10.一种薄膜太阳能电池,其特征在于,具备:
透明绝缘基板;
第一透明导电膜,形成在所述透明绝缘基板上;
分散的第一粒状体,形成在所述第一透明导电膜的表面,由与所述第一透明导电膜不同的透明导电材料所构成;
发电层,形成在所述第一透明导电膜上以及所述分散的第一粒状体上;以及
背面电极层,形成在所述发电层上。
11.根据权利要求10所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,
所述分散的第一粒状体是由以氧化锌为主成分的材料所构成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980126260.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的