[发明专利]氧化物烧结体、包含该烧结体的溅射靶、该烧结体的制造方法及该烧结体溅射靶的制造方法

权利要求书

1.一种氧化物烧结体，包含镧和铪的复合氧化物，其特征在于，烧结体中所含的铪相对于镧含有当量以上。

2.如权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，氧化物中的La∶Hf的摩尔比为1∶(1.0～1.2)。

3.如权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，氧化物中的La∶Hf的摩尔比为1∶(1.01～1.1)。

4.如权利要求1至3中任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于，相对密度为98％以上，最大粒径为50μm以下，平均粒径为5μm以上且20μm以下。

5.如权利要求1至4中任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于，烧结体中所含的碱金属为40ppm以下，除Zr以外的过渡金属元素为100ppm以下，Pb为10ppm以下，U、Th为5ppb以下。

6.一种溅射靶，其包含权利要求1至5中任一项所述的氧化物烧结体。

7.包含权利要求5所述的氧化物烧结体的溅射靶，其用于形成半导体元件的栅绝缘膜。

8.一种镧与铪的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，使用La₂(CO₃)₃粉末和HfO₂粉末作为原料粉末，以Hf与La的组成摩尔比为1～1.2的方式进行配合并混合后，将该混合粉末在大气中进行加热合成，然后将该合成材料粉碎得到粉末后，将该合成粉末进行热压而得到烧结体。

9.如权利要求8所述的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，La∶Hf的摩尔比为1∶(1.01～1.1)。

10.一种镧与铪的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，使用La₂O₃粉末和HfO₂粉末作为原料粉末，以Hf与La的组成摩尔比为1～1.2的方式进行配合并混合后，将该混合粉末在大气中进行加热合成，然后将该合成材料粉碎得到粉末后，将该合成粉末进行热压而得到烧结体。

11.如权利要求10所述的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，La∶Hf的摩尔比为1∶(1.01～1.1)。

12.如权利要求8至11中任一项所述的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，通过湿式球磨机进行混合，合成通过在大气中1350℃～1550℃下加热5小时～25小时来进行。

13.如权利要求8至12中任一项所述的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，合成粉末的热压通过在1300℃～1500℃、在真空中加热1小时～5小时来进行。

14.一种氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，通过权利要求8至13中任一项所述的制造方法来制造权利要求1至7中任一项所述的氧化物烧结体。

15.通过权利要求14所述的制造方法来制造氧化物烧结体溅射靶的方法。