[发明专利]芳香聚酰亚胺膜，层压制品及太阳电池

权利要求书

1.一种聚酰亚胺膜，由芳香四羧酸组分和芳香二胺组分制得，其特征在于：基于25℃时的最初尺寸，所述聚酰亚胺膜在25～500℃的尺寸变化率为-0.3％～+0.6％。

2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜，其特征在于：所述聚酰亚胺膜在500℃下进行20分钟的热处理后的重量损失率为1重量％以下。

3.根据权利要求1或2所述的聚酰亚胺膜，其中所述聚酰亚胺膜在25～500℃之间的热膨胀系数为1～10ppm/℃。

4.根据权利要求1～3中任一所述的聚酰亚胺膜，其中所述聚酰亚胺膜由以3，3′，4，4′-联苯四羧酸二酐作为主要组分的芳香四羧酸组分和以对苯二胺作为主要组分的芳香二胺组分制得。

5.根据权利要求1～4中任一所述的聚酰亚胺膜，其中所述聚酰亚胺膜的厚度为5μm～100μm。

6.一种用于生产权利要求1～5中任一所述聚酰亚胺膜的方法，其中包括：

在500℃或更高的温度和基本无应力的条件下，加热由芳香四羧酸组分和芳香二胺组分制得的聚酰亚胺膜。

7.一种用于生产权利要求1～5中任一所述聚酰亚胺膜的方法，其中包括：

提供由芳香四羧酸组分和芳香二胺组分制得的聚酰亚胺前体溶液；

在支撑物上流铸所述聚酰亚胺前体溶液，进行加热，从而制备聚酰亚胺前体溶液的自支撑膜；

酰亚胺化所述自支撑膜从而制备聚酰亚胺膜；以及

在500℃或更高的温度和基本无应力的条件下，加热得到的所述聚酰亚胺膜。

8.根据权利要求6或7所述的用于生产聚酰亚胺膜的方法，其中在25～500℃的温度下的热膨胀系数为1～10ppm/℃的聚酰亚胺膜为：以3，3′，4，4′-联苯四羧酸二酐作为主要组分的芳香四羧酸组分和以对苯二胺作为主要组分的芳香二胺组分，进行化学酰亚胺化反应制得；或者，在拉伸聚酰亚胺前体溶液的自支撑膜之后或在拉伸该自支撑膜的同时，进行热酰亚胺化反应制得；并在所述加热步骤对上述制得的聚酰亚胺膜进行加热。。

9.根据权利要求6～8中任一所述的用于生产聚酰亚胺膜的方法，其中：在加热所述聚酰亚胺膜的步骤中，在500～550℃的温度和基本无应力的条件下，加热所述聚酰亚胺薄膜30秒～10分钟。

10.一种层压制品，其中，该层压制品包括权利要求1～5中任一所述聚酰亚胺膜和直接或间接形成于所述的聚酰亚胺膜上的金属层。

11.根据权利要求10所述的层压制品，其中所述金属层为包含钼的层。

12.根据权利要求10或11所述的层压制品，其中所述金属层由喷镀或气相沉积而成。

13.一种CIS太阳电池，包括由上述1～5任一项所述的聚酰亚胺膜构成的基底，直接或间接形成于所述基底上的至少一导电金属层以及黄铜矿半导体层。

14.一种根据权利要求1～5中任一所述聚酰亚胺膜或根据权利要求10～12中任一所述层压制品在生产CIS太阳电池中的用途。