[发明专利]太阳能电池以及太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种多结光伏电池，包括：

至少两个彼此串联电连接的P-N结，每个P-N结都包含P型吸收层和N型发射层，每个所述P型吸收层都包括多个碲化锌和碲化铅的交替薄膜层，其中碲化锌和碲化铅具有在堆厚度中时的各自的带隙，且各个所述P型吸收层的有效带隙位于所述各自的带隙之间；

其中至少一个吸收层的有效带隙不同于至少另一个吸收层的有效带隙。

2.根据权利要求1所述的多结光伏电池，其中所述N型发射层是硫化镉层。

3.根据权利要求1所述的多结光伏电池，其中进一步包括涂布有导电层的玻璃衬底。

4.根据权利要求3所述的多结光伏电池，其中所述导电层包括氧化铟锡层。

5.根据权利要求1所述的多结光伏电池，其中进一步包括设置在所述P-N结之间并将其电连接在一起的互连层。

6.根据权利要求5所述的多结光伏电池，其中所述互连层包括多个导电岛状物。

7.根据权利要求6所述的多结光伏电池，其中所述导电岛状物包括碲化汞或碲化铜岛状物。

8.根据权利要求1所述的多结光伏电池，其中所述多结光伏电池是两电池串联式太阳能电池，其中第一个P-N结的吸收层的有效带隙约为1.0eV，且第二个P-N结的吸收层的有效带隙约为1.8eV。

9.根据权利要求1所述的多结光伏电池，其中所述多结光伏电池是三电池串联式太阳能电池，其中第一个P-N结的吸收层的有效带隙约为0.8eV，第二个P-N结的吸收层的有效带隙约为1.4eV且第三个P-N结的吸收层的有效带隙约为2.3eV。

10.根据权利要求1所述的多结光伏电池，其中所述交替薄膜层形成组合超晶格结构。

11.根据权利要求10所述的多结光伏电池，其中所述各个组合超晶格结构都包含30～40个碲化锌和碲化铅的交替层。

12.根据权利要求1所述的多结光伏电池，其中所述各个组合超晶格结构都具有约1～5μm之间的有效吸收厚度，且每个碲化锌和碲化铅的交替层都具有约之间的厚度。

13.根据权利要求1所述的多结光伏电池，其中所述至少一个吸收层以及所述至少另一吸收层的有效带隙都取决于所述P-N结中的所述碲化锌和碲化铅交替层的厚度。

14.根据权利要求1所述的多结光伏电池，其中至少一个吸收层的所述有效带隙被选择用于俘获约0.5μm的入射光波长。

15.根据权利要求1所述的多结光伏电池，其中至少一个所述吸收层的有效带隙被选择用于俘获约4.0μm的入射光波长。

16.根据权利要求1所述的多结光伏电池，其中进一步包括电触头，用于在辐射的照射下使电流流出所述电池，所述辐射产生跨越至少一个所述P-N结的电势。

17.一种产生电的方法，所述方法包括将权利要求16所述的多结光伏电池暴露于太阳光辐射下。

18.一种多结太阳能电池，包括：

涂布有导电层的玻璃衬底；

多电池串联式太阳能电池，包括多个彼此串联电连接的P-N结，每个所述P-N结都包含(i)P型吸收层，包含电沉积在玻璃衬底上的第一和第二半导体材料的交替层的周期阵列以及(ii)N型发射层，

其中第一和第二半导体材料在以堆厚度提供时具有不同的带隙，其中所提供的所述交替层的厚度小于堆厚度，且所述交替层足够薄以使所述吸收层的有效带隙位于在以堆厚度提供时的材料的带隙之间；

其中至少一个所述吸收层的有效带隙不同于至少另一个吸收层的有效带隙；

其中所述层是II-VI和IV-VI族化合物的交替层；以及

电触头，用于在辐射的照射下使电流流出所述电池，所述辐射产生跨越至少一个所述P-N结的电势。

19.根据权利要求18所述的多结太阳能电池，其中每个所述P型吸收层都足够薄，以使所述吸收层形成组合超晶格结构。

20.根据权利要求19所述的多结太阳能电池，其中所述交替层包括多个碲化锌和碲化铅的交替层。