[发明专利]研磨组合物有效
申请号: | 200980127160.X | 申请日: | 2009-07-13 |
公开(公告)号: | CN102089866A | 公开(公告)日: | 2011-06-08 |
发明(设计)人: | 松下隆幸;杉田规章 | 申请(专利权)人: | 霓达哈斯股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;阴亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨 组合 | ||
1.研磨组合物,其包含:
化合物,其包含下述通式(1)所示的具有两个氮原子的烷基胺结构以及至少一个与所述烷基胺结构中的两个氮原子中的一个氮原子结合的嵌段聚醚,所述嵌段聚醚含有氧乙烯基及氧丙烯基;
碱性化合物;以及
研磨剂,
>N-R-N<...(1)
其中,R表示CnH2n所示的亚烷基,n为大于1的整数。
2.如权利要求1所述的研磨组合物,其中所述嵌段聚醚含有选自下述通式(2)至(5)所示的醚基中的至少一种:
-[(EO)a-(PO)b]x-H...(2)
-[(PO)b-(EO)a]x-H...(3)
-(EO)a-[(PO)b-(EO)a]x-H...(4)
-(PO)b-[(EO)a-(PO)b]x-H...(5)
其中,EO表示氧乙烯基,PO表示氧丙烯基,并且a、b和x各自表示大于1的整数。
3.如权利要求2所述的研磨组合物,其中所述醚基中的氧乙烯基的数值a大于1并小于500,氧丙烯基的数值b大于1并小于200。
4.如权利要求2或3所述的研磨组合物,其中当所述嵌段聚醚包含选自由所述通式(2)至(5)表示的醚基中的至少一种时,所述醚基中的氧乙烯基与氧丙烯基的质量比EO∶PO大于10∶90并小于80∶20。
5.如权利要求1至4中任一权利要求所述的研磨组合物,其中所述碱性化合物为选自碱金属或碱土金属元素的氢氧化物或碳酸盐、季铵及其盐、伯胺、仲胺及叔胺中的至少一种。
6.如权利要求1至5中任一权利要求所述的研磨组合物,其中所述研磨剂为选自二氧化硅、氧化铝、氧化铈和氧化锆中的至少一种。
7.如权利要求1至6中任一权利要求所述的研磨组合物,其还包含水溶性高分子化合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造