[发明专利]用于防止不饱和有机硅化合物聚合的方法

权利要求书

1.一种在制备或处理通式(1)的不饱和有机硅化合物(S)时防止聚合的方法，

H₂C＝C(R¹)[C(O)O]_w(O)_x-(R²)_y-Si(R³)_z(OR⁴)_3-z    (1)

其中

R¹是氢原子或具有1-10个碳原子的直链或支链烃基，

R²是具有1-40个碳原子并且可以包含一个或更多个选自元素氮、氧、硫和磷的杂原子的直链或支链烃基，

R³和R⁴是具有1-10个碳原子的直链或支链烃基，

w可以是0或1，

x可以是0或1，

y可以是0或1，以及

z可以是0、1或2，

其中w和x必须不同时是1，

其中，所述制备或处理的至少一个步骤是在工业装置(A)中进行的，所述工业装置(A)与所述有机硅化合物(S)接触的表面包括至少70％的无铁材料，其中当材料包含按重量计少于1％的铁时被规定为无铁，

并且所述工业装置(A)是具有至少200L填充体积的用于间歇工艺的装置或具有至少15L/h通过量的用于连续工艺的装置。

2.一种在制备或处理通式(2)的不饱和有机硅化合物(S)时防止聚合的方法，

H₂C＝C(R¹)C(O)O-(R²)_y-Si(R³)_z(OR⁴)_3-z    (2)

所述不饱和有机硅化合物(S)由通式(3)的卤代烷基硅烷和具有通式(4)的阴离子的(甲基)丙烯酸盐制备，

X-(R²)_y-Si(R³)_z(OR⁴)_3-z    (3)

H₂C＝C(R¹)C(O)O^-           (4)

其中X是卤素原子，并且R¹、R²、R³、R⁴、w、x、y和z如权利要求1所限定，

其中制备或处理的至少一个步骤是在工业装置(A)中进行的，所述工业装置(A)与所述有机硅化合物(S)接触的表面包括至少70％的无铁材料，其中当材料包含按重量计少于1％的铁时被规定为无铁，

并且所述工业装置(A)是具有至少200L填充体积的用于间歇工艺的装置或具有至少15L/h通过量的用于连续工艺的装置。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述装置(A)与所述有机硅化合物(S)接触的表面包括至少99％的无铁材料，其中当材料包含按重量计少于0.1％的铁时被规定为无铁。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述无铁材料选自玻璃、搪瓷、塑料、石墨、氧化物陶瓷、碳化硅和氮化硅。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，R¹是氢原子或CH₃。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，R²是CH₂或(CH₂)₃基。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，R³是甲基或乙基。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，R⁴是甲基或乙基。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，所述工业装置(A)是具有至少15L/h通过量的薄膜蒸发器、降膜蒸发器或短程蒸馏器。