[发明专利]耐水性偏光膜的制造方法无效
申请号: | 200980127491.3 | 申请日: | 2009-10-05 |
公开(公告)号: | CN102089686A | 公开(公告)日: | 2011-06-08 |
发明(设计)人: | 梅本彻;铃木聪;龟山忠幸 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | G02B5/30 | 分类号: | G02B5/30;C09B31/072;G02F1/1335 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 耐水性 偏光 制造 方法 | ||
1.一种耐水性偏光膜的制造方法,其特征在于,该制造方法包括如下工序:使包含具有2个以上阴离子性基团的有机色素和聚乙烯醇系聚合物的偏光膜的表面与耐水化处理液接触来进行耐水化处理,所述耐水化处理液包含有机胺阳离子和多价金属阳离子中的至少一种和四羟基硼酸阴离子。
2.根据权利要求1所述的耐水性偏光膜的制造方法,其特征在于,所述阴离子性基团是磺酸基、羧酸基、磷酸基、以及它们的盐基中的任意一种。
3.根据权利要求1或2所述的耐水性偏光膜的制造方法,其特征在于,所述有机色素为下述通式(2)所示的偶氮化合物,
通式(2)中,R表示氢原子、碳原子数1~3的烷基、乙酰基、取代或未取代的苯甲酰基、取代或未取代的苯基,X表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、碳原子数1~4的烷基、碳原子数1~4的烷氧基或-SO3M基,M表示氢原子或碱金属原子。
4.根据权利要求1或2所述的耐水性偏光膜的制造方法,其特征在于,所述耐水化处理液中包含的所述有机胺阳离子和所述多价金属阳离子的合计浓度为所述耐水化处理液的总重量的10重量%~25重量%,所述四羟基硼酸阴离子的浓度为所述耐水化处理液的总重量的1重量%~6重量%。
5.权利要求1或2所述的耐水性偏光膜的制造方法,其特征在于,所述耐水化处理液的液温为5℃~60℃。
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